აპლიკაციების სწრაფი განვითარება და გაფართოება ელექტრონული მოწყობილობები ელემენტის ბაზის გაუმჯობესების გამო, რომლის საფუძველიც არის ნახევარგამტარული მოწყობილობები ნახევარგამტარი მასალები მათი სპეციფიკური წინააღმდეგობის სფეროში (ρ \u003d 10-6 ÷ 1010 ომი) დაიკავებს შუალედურ ადგილს დირიჟორებსა და დიელექტრებს შორის. პოპოლორული მასალები

ნახევარგამტარული დიოდები არის ნახევარგამტარული მოწყობილობა ერთი P-N-N- გარდამავალი და ორი დასკვნით, რომელთა ოპერაცია ეფუძნება P-N - გარდამავალ თვისებებს. ძირითადი ქონების p-n - გარდამავალი ცალმხრივი გამტარობაა - მიმდინარე შემოსავალი მხოლოდ ერთ მიმართულებით. პირობითი - გრაფიკული დანიშნულება (HTO) დიოდის აქვს ფორმის arrow, რომელიც მიუთითებს მიმართულებით მიედინება მეშვეობით მოწყობილობა. კონსტრუქციულად დიოდური შედგება p-N - გარდამავალიკორპუსში (გარდა Micromodules- ის გამონაკლისი) და ორი დასკვნების გარდა: P- ტერიტორიიდან - Anode, N-Ringer - Cathode. ანუ, დიოდი არის ნახევარგამტარული მოწყობილობა, რომელიც მხოლოდ ერთ მიმართულებას გადასცემს - კათოდამდე. გამოყენებითი ძაბვისგან მოწყობილობის მეშვეობით არსებული დამოკიდებულება ეწოდება Volt - Ampere- ს ინსტრუმენტის დამახასიათებელი I \u003d F (U).

ტრანზისტორი ტრანზისტორი არის ნახევარგამტარი მოწყობილობა, რომელიც მიზნად ისახავს ელექტროენერგიის სიგნალების გაღრმავებას, გენერირებასა და კონვერტაციას, ასევე ელექტროენერგიის გადართვას. ტრანზისტორის გამორჩეული თვისება არის ძაბვისა და მიმდინარეობის გაღრმავების უნარი - შეყვანის და დენებისაგან მოქმედი ძაბვის ტრანზისტორი, გამოიწვიოს მისი გამომავალი და დენებისაგან მნიშვნელოვნად დიდი რაოდენობით ძაბვის გამოჩენა. ტრანზისტორმა მიიღო სახელი ორი ინგლისური სიტყვის შემცირებისგან (RE) Sistor არის კონტროლირებადი რეზისტორი. ტრანზისტორი საშუალებას გაძლევთ შეცვალოთ ზარალი ნულოვანიდან მაქსიმალური მნიშვნელობა.

ტრანზისტორის კლასიფიკაცია: - მოქმედების პრინციპზე: საველე (უნიფოროლი), ბიპოლარული, კომბინირებული. - გაფუჭებული ძალაუფლების ღირებულებით: მცირე, საშუალო და დიდი. - ლიმიტის სიხშირის ღირებულებით: დაბალი, საშუალო, მაღალი და სუპერ-სიხშირე. - ოპერაციული ძაბვის ღირებულებით: დაბალი და მაღალი ძაბვა. - ფუნქციონალური მიზნებით: უნივერსალური, გამაძლიერებელი, გასაღები და ა.შ. - კონსტრუქციული აღსრულების მიხედვით: არაობიანი და საქმეში, ხისტი და მოქნილი დასკვნები.

შესრულებული ფუნქციების მიხედვით, ტრანზისტორს შეუძლია სამი რეჟიმი: 1) აქტიური რეჟიმი - ანალოგური მოწყობილობების ელექტრო სიგნალების გაზრდა. ტრანზისტორის წინააღმდეგობის გაწევა ნულის მაქსიმალურ ღირებულებას მერყეობს - ისინი ამბობენ, რომ ტრანზისტორი "ხსნის" ან "დახურულ". 2) სატრანსპორტო რეჟიმი - ტრანზისტორის წინააღმდეგობა ნულოვანია. ამ შემთხვევაში, ტრანზისტორი უდრის დახურულ სარელეო კონტაქტს. 3) Cut-Off რეჟიმი - ტრანზისტორი დახურულია და აქვს მაღალი წინააღმდეგობა, ანუ., ეს არის ღია სარელეო კონტაქტის ექვივალენტი. ინტენსივობა და გათიშვა რეჟიმები გამოიყენება ციფრულ, პულსი და გადართვის სქემებში.

ინდიკატორი ელექტრონული ინდიკაცია ეს არის ელექტრონული ჩვენება, რომელიც განკუთვნილია მოვლენების, პროცესებისა და სიგნალების ვიზუალური კონტროლისთვის. ელექტრონული ინდიკატორები დამონტაჟებულია სხვადასხვა შიდა და სამრეწველო ტექნიკით სხვადასხვა პარამეტრების დონის ან ღირებულების შესახებ, როგორიცაა ძაბვები, მიმდინარე, ტემპერატურა, ბატარეის გადასახადი და ა.შ. ხშირად ელექტრონული ინდიკატორი არასწორია ელექტრონული მასშტაბით მექანიკურ მაჩვენებელს . ელექტრონული ნაჩვენებია მოწყობილობის მექანიკური მაჩვენებელი

Სიამოვნების მიღება ანონსი პრეზენტაციები ქმნის საკუთარ ანგარიშს ( ანგარიში) Google და შესვლა მას: https://accounts.google.com

ხელმოწერები სლაიდებისთვის:

ფიზიკის მასწავლებელი: აბრამოვა თამარა ივანოვა მბუ "Buturlinovskaya Sosh" 2016.

რა არის ნახევარგამტარი? სად წავიდა ელექტრონები და ხვრელები? რა ხდება გერმანიაში დარიშხანის დასამატებლად? ნახევარგამტელები მოვიდნენ. ცალმხრივი გამტარობა - არა მხოლოდ გზებზე. დიოდები, ტრანზისტორები, ები, ფოტოკოალები - სად ვართ მათთან შეხვედრა? დღეს გაკვეთილზე.

ნახევარგამტარები ρ ლითონები \u003cρ ნახევრად ფურცლები. \u003cΡ diel. ₁₁ - U საწყისი ლითონები ρ ₂ - ერთი ზღარბი ρ ₃ - Dielectrics

ნახევარგამტარების სტრუქტურა ნახევარგამტარებულებს მოიცავს გერმანიის, სილიკონის, სელენი, დარიშხანის, ინდიუმის, ფოსფორის, ... და მათი კავშირების ქიმიური ნივთიერებების ქიმიური ელემენტები. დედამიწის ქერქი ამ ნაერთებში 80% -ს მიაღწევს. დაბალ ტემპერატურაზე და განათების არარსებობის შემთხვევაში, სუფთა P / PS არ ატარებს ელექტროენერგიას, რადგან მათ არ აქვთ თავისუფალი ბრალდება. სილიკონსა და გერმანიას აქვს გარე ელექტრონულ ჭურვი 4 (ვალენი) ელექტრონებით. კრისტალში, თითოეული ეს ელექტრონი ეკუთვნის ორ მეზობელ ატომს, ფორმირებას, ასე შემდეგ. Კოვალენტური ბმა. ეს ელექტრონები მონაწილეობენ თერმული მოძრაობაში, მაგრამ რჩებიან თავიანთ ადგილებზე კრისტალში. S ელ, ეს არის silon

ნახევარგამტარების საკუთარი გამტარობა PR და N- ის n და p r i o s i n e n და n el. \u003d N ხვრელები.

ნახევარგამტარი კილიტა შემთხვევაში ინსულტორის გამომავალი

ხელოვნური დედამიწის სატელიტები, კოსმოსური ხომალდები, ელექტრონული - Კომპიუტერული ინჟინერია, რადიო ინჟინერია, ავტომატური სისტემები ანგარიშები, დახარისხება, ხარისხის ჩეკები, ... Photoyele- ის გამოყენება, გადაუდებელი კონცენტრატორები.

ნახევარგამტარების N ელექტრონების impurity გამტარობა\u003e N ხვრელების გამტარობა - ელექტრონული (დონორი). ნახევარგამტარი - N- ტიპი. N ხვრელები\u003e N ელექტრონები. გამტარობა - from (მიღება). ნახევარგამტარული - P -TEPE.

ელექტრონული - ხვრელი გარდამავალი R Zap. ფენა დიდია! R z.s. შემცირდა. R z.s. გაიზარდა. d \u003d 10 ¯⁵ C მ

საკონტაქტო ნახევარგამტარების ქონება სხვადასხვა ტიპის ჩატარება N - P Transcition X A k t t e p t u c t და k b ძირითადი ქონება N - P- ის გარდამავალი - ცალმხრივი გამტარობა O მ. საპირისპირო გარდამავალი

გერმანია - Cathode Indium - Anode Semiconductor Diode მთავარი ქონება ცალმხრივი გამტარობა. იგი გამოიყენება რადიო მიმღების, ტელევიზორებისა და ძლიერი დენებისაგან სუსტი დენებისაგან, ელექტრო ლოკომოტივებში.

ნახევარგამტარული მოწყობილობის ფუნქციონირების პრინციპი ძირითადი მუხლის მატარებლებისთვის Nezneurnian Charge Carriers ტიპები დიოდების თვითმფრინავი და წერტილი. უპირატესობები: მცირე ზომის და წონა, მაღალი KP.d., გრძელვადიანი.

ტრანსსასტრები გამოიყენება როგორც გამაძლიერებლები რადიო საინჟინრო, ელექტროტექნიკა.

ნახევარგამტარული მოწყობილობები

ფოტოკლები და თერმოელმები

ფოტოოსალმების გამოყენება

LEDS Semiconductor LED- ები - მოწყობილობები, რომლებიც კონვერტირებას ელექტროენერგიის სინათლეში. გამოყენებითი ძაბვის მოქმედებით Quanta Light.

ნახევარგამტარი თერმოელემები შიდა ენერგიას ელექტროენერგიას გადააქცევს.

1. რა მატარებლები Ელექტრული მუხტი შექმნის მიმდინარე ლითონებში და სუფთა ნახევარგამტარებში? ა და ლითონებში, ხოლო ნახევარგამტარებში მხოლოდ ელექტრონები. B. ლითონის მხოლოდ ელექტრონებში, ნახევარგამტარებში მხოლოდ "ხვრელები". ბ. ლითონებში მხოლოდ ელექტრონები, ნახევარგამტარების ელექტრონებში და "ხვრელები". GV ლითონის და ნახევარგამტარების იონებს. 2. რა ტიპის გამტარობა ჭარბობს ნახევარგამტარებში მინარევებით? A. ელექტრონული. B. ხვრელი. B. თანაბრად ელექტრონული და ხვრელი. Ionic. 3. როგორ არის დამოკიდებულება ლითონების ტემპერატურაზე და ნახევარგამტარებში? A.Vet ლითონის იზრდება, ხოლო ნახევარგამტარებში მცირდება ტემპერატურის გაზრდა. ბ. ლითონებში მცირდება და ნახევარგამტარებში იზრდება ტემპერატურის გაზრდა. ბ. ლითონებში არ იცვლება და ნახევარგამტარებში ტემპერატურის ცვლილებით მცირდება. ლითონის ზრდის ტემპერატურაზე ცვლილებებით, ხოლო ნახევარგამტარებში არ იცვლება. 4. არის OHMA კანონი ვრცელდება მიმდინარე ნახევარგამტარებში და ლითონებში? ა. დღევანდელ ნახევარგამტარებში, ის გამოიყენება და არ არის ლითონების ამჟამინდელი დღე. B. მიმდინარე ლითონებში, იგი გამოიყენება, და არა მიმდინარე semiconductors. B. გამოიყენება ლითონებში მიმდინარე და ნახევარგამტარებში მიმდინარე. გ. არ არის გამოყენებული ნებისმიერ შემთხვევაში. ვაკანსიები თვითმმართველობის კონტროლის 1.ონ 2.A 3.A 4.B.

თემაზე: მეთოდური განვითარება, პრეზენტაციები და რეფერატები

"ნახევარგამტარებზე გაკვეთილის შემუშავებისას. Impurity ნახევარგამტარი. საკუთარი გამტარობა "ელექტრონული საგანმანათლებლო რესურსები იქნა გამოყენებული ....

თემის გაკვეთილის განვითარება "ნახევარგამტარები, ნახევარგამტარების დამქირავებლებმა. Ელექტროობა ნახევარგამტარებში "...

პრეზენტაცია "ნახევარგამტარები, ნახევარგამტარების საკუთარი და impurity გამტარობა. ელექტროენერგია ნახევარგამტარებში"

პრეზენტაცია: "ნახევარგამტარები, ნახევარგამტარების საკუთარი და impurity გამტარობა. ელექტრო მიმდინარე ნახევარგამტარებში" ...

ინტეგრალური ტემპერატურის სენსორები BT 2 ყველაზე ნახევარგამტარული ტემპერატურის სენსორების გამოყენება ბაზის- emitter ძაბვისა და კოლექტორის შორის თანაფარდობა. ძირითადი ტემპერატურის გაზომვის დიაგრამა ტემპერატურის დიაგრამა Cell ტემპერატურის დიაპაზონი ჩემპიონი Cell ტემპერატურის სენსორი ტემპერატურის სენსორი

ინტეგრირებული ტემპერატურის სენსორები BT 3 ტემპერატურის სენსორებისათვის მიმდინარე გამომუშავება -92Capus- დან -25-დან 105 წთ-მდე, ° C 0,298i CC, MA 4-დან 30V CC, In სხვადასხვა სქემები მიმდინარე DT- ზე გამორთვა, რათა დადგინდეს: და საშუალო ტემპერატურის ღირებულება სამი ადგილის სივრცეში, B- ის მინიმალური ტემპერატურა სამი კონტროლირებადი, ორ წერტილში ტემპერატურაზე

ინტეგრალური ტემპერატურის სენსორები BT 4 ტემპერატურის სენსორებისათვის ძაბვის გამომავალი VCC, B2, მგრძნობელობა, MV / C 10 ოპერაციული ტემპერატურის დიაპაზონი, AD AD VCC, მგრძნობელობის, MV / C 10 საოპერაციო ტემპერატურის დიაპაზონი, ICC, MA0,12 LM45 LM135 / 235/335 VCC, B2, მგრძნობელობა, MV / K 10 საოპერაციო ტემპერატურის დიაპაზონი, LM LM LM LM SIMPLEST აპლიკაციის სქემები გაზომვისთვის: A - მინიმუმ სამი ტემპერატურა, B - საშუალო ტემპერატურის ღირებულება სამი ქულა, ტემპერატურის სხვაობა ტიპიური სქემები ჩართვა: A - კალიბრაციის გარეშე, B - დაკალიბრებით

ინტეგრალური ტემპერატურის სენსორები BT 5 Simple Thermostat Circuit Logometric DT: A - სტრუქტურული სქემა, B - ტემპერატურა კონვერტაციის Circuit კოდი, რომელიც არ არის დამოკიდებული მიწოდების ძაბვის ლოგომეტრიული DT გაზომვის სისტემები მოუწოდა logometric, თუ საბოლოო კონვერტაციის შედეგი არ არის დამოკიდებული ტემპერატურაზე. ლოგომეტრიული სენსორების გამომავალი სიგნალი დამოკიდებულია მიწოდების ძაბვის შესახებ. VCC, B2.7 ... 3.6 მგრძნობელობა, MV / C 28 საოპერაციო ტემპერატურის დიაპაზონი, ICC, MA0.5 Caffaoic-8, TO92- სთვის მოსახერხებელია 12-ბიტიანი ADPS AD7896- ს სენსორით, რომელიც იყენებს მიწოდების ძაბვას მითითება

ციფრული გამომავალი ტემპერატურის სენსორები 6 Microcircuits MAX6576 / MAX6577 ეს არის იაფი, დაბალი მიმდინარე ტემპერატურის სენსორები ერთი მავთულის გამომავალი. Max6576 Microcircuit აკონვერტებს ატმოსფერული ტემპერატურა Mandrel- ში პროპორციული აბსოლუტური ტემპერატურის პერიოდში (° K). MAX6577 Microcircuit აკონვერტებს ambient ტემპერატურა meander ერთად სიხშირე პროპორციული აბსოლუტური ტემპერატურა. MAX6576 Microcircuit უზრუნველყოფს სიზუსტეს ± 3 ° C + 25 ° C, ± 4.5 ° C + 85 ° C და ± 5 ° C AT + 125 ° C. MAX6577 Microcircuit უზრუნველყოფს სიზუსტეს ± 3 ° C + 25 ° C, ± 3.5 ° C + 85 ° C და ± 4.5 ° C AT + 125 ° C. სახელი ინტერფეისის სიზუსტე (± ° C) ზარის ძაბვის დიაპაზონი (ბ) საოპერაციო დიაპაზონი (° C) MAX6576 MAX6577 საბინაო პერიოდი - Temp. სიხშირე - Temp. 3-დან 2.7-დან 5.5-დან -40-დან 5-მდე -5-დან 5-მდე, ორივე მოწყობილობა გამოირჩევა ერთჯერადი მავთულის გამომავალი, რომელიც ამცირებს მიკროპროცესორთან ურთიერთქმედების შედეგების რაოდენობას. გამომავალი meander- ის დიაპაზონი / სიხშირის დიაპაზონი შეიძლება შეირჩეს VDD (Power) ან GND (ზოგადი) ორჯერ შერჩევისას (TS0, TS1). Max6576 / Max6577 ჩიპი ხელმისაწვდომია კომპაქტ 6-Pin SOT23 შიგთავსით.

ტემპერატურის სენსორები PWM 7 TMP03 / TMP04 - ნახევარგამტარული IC, მართკუთხა სიგნალის ხანგრძლივობა, რომელიც პირდაპირ პროპორციულია მის ტემპერატურაზე. ჩამონტაჟებული ტემპერატურის კონვერტორი ქმნის პირდაპირი პროპორციული ტემპერატურის ძაბვას, რომელიც შედარებით საცნობარო ძაბვასა და შედარების შედეგად მიეწოდება ციფრულ მოდულატორს. გამომავალი რიგითი ციფრული სიგნალის ფართომასშტაბიანი კოდირების ფორმატი საშუალებას გაძლევთ თავიდან იქნას აცილებული შეცდომები, რომლებიც სხვა მოწყობილობებში ხდება სინქრონიზაციის სიხშირის არასტაბილურობის გამო. მოწყობილობებს აქვთ ტიპიური გაზომვის შეცდომა ± 1.5 ° C- დან -25 ° C- დან + 100 ° C- დან + 100 ° C- მდე და კონვერტაციის დამახასიათებელი. ციფრული გამომავალი TMP04 არის TTL / CMOS თავსებადი, რომელიც საშუალებას გაძლევთ დააკავშიროთ მას ყველაზე მიკროკონტროლერთან პირდაპირ. TMP03 მოწყობილობის გამომავალი რეზერვუარი 5 მაგისტრის მაქსიმალურ მიედინებაა. TMP03 და TMP04 აქვს სამუშაო სპექტრი მიწოდების ძაბვის 4.5 დან 7 V. ფუნქციონირებს 5 in ელექტრო წყაროების გადმოტვირთული გამომავალი, მოწყობილობები მოიხმარენ არანაკლებ 1.3 მ. TMP03 / TMP04 განისაზღვრება ტემპერატურის დიაპაზონში -40 ° C- დან + 100 ° C- დან, ხოლო 92, SO-8 და TSSOP-8 Housings. შემცირებული სიზუსტით, მოწყობილობებს შეუძლიათ შეაფასონ ტემპერატურა 150 ° C. DT გამომავალი ფორმატი

ტემპერატურის სენსორები სერიული ციფრული ინტერფეისით 8 ამ მიკროკრედიტაციის გარდა Ტემპერატურის სენსორი Bipolar Transistor- ზე დაყრდნობით ასევე მოიცავს ADC SIGMA- ს, რომლის ინტერფეისი SPI- სა და მიკროუსირებებთან თავსებადია. Thirteen-Bit ADC უზრუნველყოფს რეზოლუციას ° C ტემპერატურაზე 55-დან 150 ° C- ში. სენსორი საშუალებას იძლევა თარგმნოს დუმილი რეჟიმი შემცირებული ენერგომოხმარება (გამორთვა რეჟიმი), რომელშიც მიმდინარე მოხმარებული მცირდება 10 μA. სენსორი დამზადებულია SO-8 საბინაო და მინიატურული 5-Pin Micro SMD-Koppyse. AD7816 / 17/18 ტემპერატურის სენსორები DS18B20 ტემპერატურის სენსორები

ტემპერატურის შედარებები 9 მოწყობილობა აქვს გამომავალი მრავალფეროვანი გამომავალი, რომელიც გადამრთველებს, როდესაც მომხმარებლის მიერ განსაზღვრული ტემპერატურა მიღწეულია. ADT05 ჰისტერეზს აქვს დაახლოებით 4 ° C ტოლი, რომელიც უზრუნველყოფს სწრაფი გამორთვას / ციკლს. ADT05 განკუთვნილია მუშაობა UniPolaroar მიწოდების ძაბვის + 2.7 to +7.0 V, რაც უფრო ადვილად გამოიყენებს როგორც ბატარეის მოწყობილობებს და სამრეწველო კონტროლის სისტემებში. რეაგირების ტემპერატურის განსაზღვრის ნომინალური რეზისტერი განისაზღვრება გამოხატულებით: R Set \u003d 39 MOGUES ° C / (t კომპლექტი (° C) + 281.6 ° C) - 90.3 OHM. TMR01 არის ორი არხის კონტროლერი, რომელიც ასევე აწარმოებს გამომავალი ძაბვის პროპორციულ აბსოლუტურ ტემპერატურას (სარგებელი 5). გარდა ამისა, იგი აწარმოებს კონტროლის სიგნალებს ერთ ან ორივე შედეგზე, როდესაც ტემპერატურა გამოდის განსაზღვრული ტემპერატურის დიაპაზონის გარეთ. თითოეული ამ არხების სპექტრი და ჰისტერესის ზედა და ქვედა საზღვრებს გარე წინააღმდეგობის გაწევაა.

უკონტაქტო ტემპერატურის სენსორები (Pyrometers)

გამოყენებული იქნა თუ არა გაზომვის ნაწილების ხელმისაწვდომობა რთულია და საჭიროა მობილურობა და დაბალი ინერციული გაზომვები. გარდა ამისა, უკონტაქტო ტემპერატურის სენსორები აუცილებელია, სადაც მაღალი ტემპერატურა უნდა შეფასდეს - 1500-დან 3000-მდე.

ინფრაწითელი რადიაცია 3-14 მმ სიგრძის სიგრძის სიგრძისგან შედგენილი ობიექტისგან შედგება უკონტაქტო ტემპერატურის სენსორის მგრძნობიარე ელემენტთან და მოაქვს ელექტრო სიგნალს, რომელიც შემდეგ გაძლიერებულია, ნორმალიზებულია და სენსორების ახალ მოდელებში და გადაცემას ქსელში.

მაღალი ტემპერატურის პირომეტრიის Pyrometers C-700.1 სტანდარტული ძირითადი სფეროები:

მეტალურგია: ფერადი ლითონების დნობის ტემპერატურის გაზომვა, თერმული და მექანიკური გადამუშავების ნაწილები.

მინის მრეწველობა: მინის ფორმირების მანქანების რეგულირება, კონტროლი ტემპერატურის რეჟიმი მინის ქურთუკი ღუმელები.

სამშენებლო ინდუსტრია: ტემპერატურის ტემპერატურის დამზადების მასალები (ცემენტი, აგურის, შენობის ნარევები და ა.შ.).

Teplovira

თერმოკოლები

Thermocouples არის ორი ხაზები სხვადასხვა ლითონები დამზადებულია ერთმანეთთან.

თერმოელექტრული ეფექტი მე -19 საუკუნის პირველ ნახევარში გერმანულ ფიზიკოსმა გახსნა. თუ ჰეტეროგენული ლითონებისგან ორი დირიჟორი დააკავშირებთ იმას, რომ ისინი ქმნიან დახურულ წრეებს და შეინარჩუნებენ ავტომობილის საკონტაქტო ადგილას სხვადასხვა ტემპერატურაზე, მაშინ მუდმივი მიმდინარეობა ჯაჭვში გადადის. ექსპერიმენტული ბილიკები შერჩეული იყო ლითონების წყვილების მიერ, რომლებიც ყველაზე მეტად შესაფერისი ტემპერატურის საზომი, მაღალი მგრძნობელობის მქონე, დროებითი სტაბილურობის მქონე, გარე გარემოს ეფექტის რეზისტენტული. ეს არის მაგალითად, ლითონის ქრომელ-ალლიუმელის, სპილენძ-კონსტანტას, რკინის კონსტანტას, პლატინის-პლატინის / როდიუმის, Rhenium-Tungsten- ის წყვილი. თითოეული ტიპის განკუთვნილია მისი ამოცანების გადაჭრა. Thermocouples Chrowel-Aluminum (ტიპი K) აქვს მაღალი მგრძნობელობა და სტაბილურობა და ფუნქციონირებს ტემპერატურა 1,300 სთ ოქსიდაციური ან ნეიტრალური ატმოსფეროში. ეს არის თერმოკოლების ერთ-ერთი ყველაზე გავრცელებული ტიპები. Thermocouple Iron-Constanta (Type J) მუშაობს ვაკუოში, შემცირების ან ინერტული ატმოსფეროს ტემპერატურა 500 C. მაღალი ტემპერატურა მდე 1500 ° C, პლატინის / Rhodium Thermocouples (ტიპი S ან R) გამოიყენება კერამიკული დამცავი საფარით. ისინი სრულყოფილად შეაფასებენ ტემპერატურას ჟანგვითი, ნეიტრალური საშუალო და ვაკუუმში.

წინააღმდეგობის თერმომეტრები

ეს არის პლატინის, სპილენძის ან ნიკელისგან მიღებული რეზისტენტული. ეს შეიძლება იყოს მავთულის რეზისტენტული, ან ლითონის ფენა შეიძლება sprayed on საიზოლაციო სუბსტრატის, როგორც წესი, კერამიკული ან მინის. პლატინის ყველაზე ხშირად გამოიყენება წინააღმდეგობის თერმომეტრები მისი მაღალი სტაბილურობისა და წრფივიანობის გამო ტემპერატურაზე. სპილენძი ძირითადად გამოიყენება დაბალი ტემპერატურის გაზომვისა და ოთახის ტემპერატურის სპექტრი გაზომვისთვის დაბალი ტემპერატურისა და ნიკელისთვის. გარე გარემოს დაცვის მიზნით, პლატინის წინააღმდეგობის გაწევა თერმომეტრები მოთავსებულია დამცავი ლითონის ფარებში და იზოლირებულია კერამიკული მასალებით, როგორიცაა ალუმინის ოქსიდი ან მაგნიუმის ოქსიდი. ასეთი იზოლაცია ასევე ამცირებს ვიბრაციის ეფექტს და სენსორს. თუმცა, დამატებით იზოლაციასთან ერთად, ასევე იზრდება მკვეთრი ტემპერატურის ცვლილებების სენსორის რეაგირების დრო. პლატინის წინააღმდეგობის თერმომეტრები ერთ-ერთი ყველაზე ზუსტი ტემპერატურის სენსორებია. გარდა ამისა, ისინი სტანდარტიზირებულია, რაც მნიშვნელოვნად ამარტივებს მათ გამოყენებას. სტანდარტულად წარმოებული წინააღმდეგობის სენსორები 100 და 1000 ohms. ტემპერატურის მქონე ასეთი სენსორების წინააღმდეგობის შეცვლა მოცემულია ნებისმიერი თემატური მინიშნება წიგნებში მაგიდების ან ფორმულების სახით. გაზომვის სპექტრი პლატინის წინააღმდეგობის თერმომეტრები არის -180 საწყისი +600 C. მიუხედავად იმისა, რომ იზოლაციის, ღირს დაცვის თერმომეტრები წინააღმდეგობის ძლიერი დარტყმა და ვიბრაცია.

თერმისტები.

ამ კლასში სენსორების, ტემპერატურის ზემოქმედების ქვეშ მყოფი მასალის ელექტრული წინააღმდეგობის ცვლილებების ეფექტი გამოიყენება. როგორც წესი, ნახევარგამტარული მასალები გამოიყენება თერმაშია, როგორც წესი, სხვადასხვა ლითონების ოქსიდები. შედეგად, მაღალი მგრძნობელობის მქონე სენსორები მიიღება. თუმცა, დიდი nonlinearity საშუალებას აძლევს გამოყენების თერმომისტებს მხოლოდ ვიწრო ტემპერატურის დიაპაზონი. თერმომსებს აქვთ დაბალი ღირებულება და შეიძლება დამონტაჟდეს მინიატურული შენობები, რაც საშუალებას აძლევს სიჩქარეს. დადებითი ტემპერატურის კოეფიციენტის გამოყენებით ორი ტიპის თერმომსართული აქვს - როდესაც ელექტრო წინააღმდეგობის გაწევა იზრდება ტემპერატურის ზრდით და უარყოფითი ტემპერატურის კოეფიციენტის გამოყენებით - აქ ელექტრული წინააღმდეგობის გაზრდა ტემპერატურაზე. თერმომს არ აქვს გარკვეული ტემპერატურის მახასიათებლები. ეს დამოკიდებულია კონკრეტული მოდელი ინსტრუმენტი და მისი გამოყენების ფართობი. თერმისტების ძირითადი უპირატესობები მათი მაღალი მგრძნობელობა, მცირე ზომის და წონა, რომელიც საშუალებას გაძლევთ შექმნათ სენსორები მცირე რეაგირების დროს, რაც მნიშვნელოვანია, მაგალითად, ჰაერის ტემპერატურის შესაფასებლად. რა თქმა უნდა, დაბალი ღირებულებაც მათი უპირატესობაა, რომელიც საშუალებას გაძლევთ სხვადასხვა მოწყობილობებში ტემპერატურის სენსორების ჩართვა. უარყოფითი მხარეები მოიცავს თერმისტების მაღალი არარსებობას, რომელიც საშუალებას აძლევს მათ გამოიყენონ ვიწრო ტემპერატურის დიაპაზონში. თერმისტების გამოყენება დაბალი ტემპერატურის დიაპაზონშია შეზღუდული. Დიდი რიცხვი მოდელები ს სხვადასხვა მახასიათებლები და არარსებობა ერთიანი სტანდარტი, ძალების აღჭურვილობის მწარმოებლები გამოიყენონ მხოლოდ ერთი კონკრეტული მოდელის თერმომერატორები.

ნახევარგამტარული სენსორები ტემპერატურა იყენებს ტემპერატურის ნახევარგამტარულ სილიკონის წინააღმდეგობის დამოკიდებულებას. ასეთი სენსორებისათვის გაზომვის ტემპერატურის სპექტრი არის-50 მდე +150 C. შიგნით ამ დიაპაზონი, სილიკონის ტემპერატურის სენსორების აჩვენებს კარგი ხაზოვანი და სიზუსტე. ასეთი სენსორის ერთ შემთხვევაში წარმოების შესაძლებლობა არ არის მხოლოდ ყველაზე მგრძნობიარე ელემენტი, არამედ მოგება და სიგნალის დამუშავების სქემები, უზრუნველყოფს სენსორს, რომელიც უზრუნველყოფს ტემპერატურის დიაპაზონში კარგი სიზუსტით. ასეთ სენსორში აშენებული არასტაბილური მეხსიერება საშუალებას მოგცემთ ინდივიდუალურად თითოეული მოწყობილობის დაკალიბრება. დიდი პლუს შეიძლება ეწოდოს მრავალფეროვანი გამომავალი ინტერფეისი ტიპები: ეს შეიძლება იყოს ძაბვის, მიმდინარე, წინააღმდეგობის, ან ციფრული გამომავალი, რომელიც საშუალებას გაძლევთ დაკავშირება ასეთი სენსორი მონაცემთა ქსელში. სილიკონის ტემპერატურის სენსორების სუსტი ადგილებიდან, შეგიძლიათ აღინიშნოს ვიწრო ტემპერატურის დიაპაზონი და ნათესავი დიდი ზომები შედარებით სხვა სახის სენსორებთან შედარებით, განსაკუთრებით თერმოკოლებით. სილიკონის ტემპერატურის სენსორები ძირითადად გამოიყენება ზედაპირული ტემპერატურის, ჰაერის ტემპერატურის, განსაკუთრებით სხვადასხვა ელექტრონული მოწყობილობების შიგნით.

სლაიდი 2.

ელექტრონული მოწყობილობების გამოყენების სფეროების სწრაფი განვითარება და გაფართოება ემთხვევა ელემენტის ბაზის გაუმჯობესებას, რომლის საფუძველზეც არის semiconductor ინსტრუმენტული მასალების საფუძველი მათი კონკრეტული წინააღმდეგობის (ρ \u003d 10-6 ÷ 1010 om. ) შუალედური ადგილი დირიჟორებსა და დიელექტრებს შორის.

Slide 3.

ნახევარგამტარი მოწყობილობების წარმოების ძირითადი მასალები: სილიციონი (SI), სილიკონის კარბიდი (SIIS), გალიუმის ნაერთები და ინდოეთი.

სლაიდი 4.

ელექტრონული მოწყობილობების წარმოებისთვის, მყარი ნახევარგამტარები გამოიყენება კრისტალური სტრუქტურის მქონე. ნახევარგამტარული მოწყობილობები ეწოდება ინსტრუმენტებს, რომელთა ქმედება ეფუძნება ნახევარგამტარული თვისებების გამოყენებას.

Slide 5.

ნახევარგამტარული დიოდები

ეს ნახევარგამტარი მოწყობილობა ერთი P-N- გარდამავალი და ორი დასკვნით, რომელთა ექსპლუატაციას ეფუძნება P-N - გარდამავალი თვისებები. P-N - გარდამავალი ძირითადი ქონება ცალმხრივი გამტარობაა - მიმდინარე შემოსავალი მხოლოდ ერთ მიმართულებით. დიოდური პირობით გრაფიკული დანიშნულება (უგო) აქვს arrow- ის ფორმა, რომელიც მიუთითებს მოწყობილობის მეშვეობით მიმდინარე მოძრაობის მიმართულებით. სტრუქტურულად დიადი შედგება P-N- გარდამავალი საბინაოში (გარდა micromodules არასაკმარისი) და ორი დასკვნები: P-Region- დან - ANODE, N- რეგიონში - კათოდან. ისინი. დიოდი არის ნახევარგამტარული მოწყობილობა, რომელიც მხოლოდ ერთ მიმართულებით გადადის - კათოდამდე. გამოყენებითი ძაბვის აპარატის მეშვეობით არსებული მოწყობილობის დამოკიდებულება ეწოდება მოწყობილობის ვოლტ-ampere დამახასიათებელ (WA) I \u003d F (U).

სლაიდი 6.

ტრანისტრაცია

ტრანზისტორი არის ნახევარგამტარი მოწყობილობა, რომელიც ხელს უწყობს ელექტრო სიგნალების გაძლიერებას, გენერირებას და კონვერტაციას, ასევე ელექტრული სქემების გადართვას. ტრანზისტორის გამორჩეული თვისება არის ძაბვისა და მიმდინარეობის გაღრმავების უნარი - შეყვანის და დენებისაგან მოქმედი ძაბვის ტრანზისტორი, გამოიწვიოს მისი გამომავალი და დენებისაგან მნიშვნელოვნად დიდი რაოდენობით ძაბვის გამოჩენა. ტრანზისტორმა მიიღო სახელი ორი ინგლისური სიტყვის შემცირებისგან (RE) Sistor არის კონტროლირებადი რეზისტორი. ტრანზისტორი საშუალებას გაძლევთ შეცვალოთ მიმდინარე ჯაჭვის ნულოვანი მაქსიმალური ღირებულებით.

სლაიდი 7.

ტრანზისტორის კლასიფიკაცია: - მოქმედების პრინციპზე: საველე (უნიფოლარი), ბიპოლარული, კომბინირებული. - გაფუჭებული ძალაუფლების ღირებულებით: მცირე, საშუალო და დიდი. - ლიმიტის სიხშირის ღირებულებით: დაბალი, საშუალო, მაღალი და ულტრა მაღალი სიხშირე. - ოპერაციული ძაბვის ღირებულებით: დაბალი და მაღალი ძაბვა. - ფუნქციონალური მიზნებით: უნივერსალური, გამაძლიერებელი, გასაღები და ა.შ. - კონსტრუქციული აღსრულების მიხედვით: არაობიანი და საქმეში, ხისტი და მოქნილი დასკვნები.

სლაიდი 8.

შესრულებული ფუნქციების მიხედვით, ტრანზისტორს შეუძლია სამი რეჟიმი: 1) აქტიური რეჟიმი - ანალოგური მოწყობილობების ელექტრო სიგნალების გაზრდა. ტრანზისტორის წინააღმდეგობა მერყეობს ნულოვანი მაქსიმალური ღირებულებით - ისინი ამბობენ, რომ ტრანზისტორი "ხსნის" ან "subfed". 2) სატრანსპორტო რეჟიმი - ტრანზისტორის წინააღმდეგობა ნულოვანია. ამ შემთხვევაში, ტრანზისტორი უდრის დახურულ სარელეო კონტაქტს. 3) Cutching Mode - ტრანზისტორი დახურულია და აქვს მაღალი წინააღმდეგობა, ანუ. ეს არის ღია სარელეო კონტაქტის ექვივალენტი. ინტენსივობა და გათიშვა რეჟიმები გამოიყენება ციფრულ, პულსი და გადართვის სქემებში.

სლაიდი 9.

მაჩვენებელი

ელექტრონულად ინდიკატორი არის ელექტრონული ჩვენება, რომელიც განკუთვნილია მოვლენების, პროცესებისა და სიგნალების ვიზუალური კონტროლისთვის. ელექტრონული ინდიკატორები დამონტაჟებულია სხვადასხვა შიდა და სამრეწველო ტექნიკით სხვადასხვა პარამეტრების დონის ან ღირებულების შესახებ, როგორიცაა ძაბვები, მიმდინარე, ტემპერატურა, ბატარეის გადასახადი და ა.შ. ხშირად ელექტრონული მაჩვენებელი არასწორია ელექტრონული მასშტაბით მექანიკურ მაჩვენებელს.

ყველა სლაიდების ნახვა