Šogad Qualcomm ir sajaucis kartes daudziem mobilo ierīču ražotājiem. Tā vadošais Snapdragon 810 mikroshēmojums burtiski sabojāja LG, Sony un HTC labākos viedtālruņus, liekot pārdevējiem meklēt glābiņu citās mikroshēmās.
Flagmanis Snapdragon — vadošajos viedtālruņos
Gadās, ka pēdējos gados Qualcomm ir ražojis “atsauces” procesorus vadošajiem viedtālruņiem un planšetdatoriem. Atcerēsimies:
2012. gada beigas - 2013. gada sākums. Snapdragon S4 Pro parādījās LG Optimus G, LG/Google Nexus 4, Xperia Z, Xiaomi Mi2.
2013, pirmā puse. Snapdragon 600 — Samsung Galaxy S4 (LTE), HTC One (M8), LG Optimus G Pro, Xiaomi Mi2 S, planšetdatorā Nexus 7
2013, otrā puse. Snapdragon 800 — Samsung Galaxy Note 3 (LTE), Xiaomi Mi3, Sony Xperia Z1, LG G2, LG/Google Nexus 5.
2014, pirmā puse. Snapdragon 801 - Samsung Galaxy S5 (LTE), HTC One (M9), Sony Xperia Z2 (un vēlāk Z3), LG G3, Xiaomi MI4.
2014, otrā puse. Snapdragon 805 — Samsung Galaxy Note 4 (LTE), LG G3 Cat. 6, Motorola/Google Nexus 6.
Tāpēc, kad 2014. gada aprīlī Qualcomm paziņoja par jaudīgāko 64 bitu Snapdragon 810 mikroshēmu ar grafisko paātrinātāju par 30% ātrāku un 20% ekonomiskāku nekā tā priekšgājējs, visi saprata, kas būs 2015. gada flagmaņu iekšienē.
Trauksmes zvans
LG bija viens no pirmajiem, kas ziņoja par viedtālruņa izlaišanu ar Snapdragon 810 iekšpusē – tas bija . Jaunais produkts tika prezentēts 2015. gada pašā sākumā CES.
Foto: Cnet Pirmie recenzenti uzreiz pamanīja nopietnu problēmu - LG G Flex 2 pārkaršanu ar sekojošu veiktspējas samazināšanos “droseles” dēļ.
Tiklīdz procesors uzsilst līdz augstām temperatūrām, tas ieslēdzas "drosēšana"(eng. throttling) - mehānisms daļas mašīnu ciklu izlaišanai, lai sinhronizētu dažādu komponentu darbību vai aizsargātu tos, tostarp procesoru, no termiskiem bojājumiem pārkaršanas dēļ.
Snapdragon 810 gadījumā droseles darbība ievērojami samazināja ierīces veiktspēju dažu minūšu laikā pēc aktīvas lietošanas. Un procesors, ilgstoši ielādējot, kļuva lēnāks nekā pagājušā gada Snapdragon 805 un pat 801.
Tādējādi “smagās” spēles spēlē LG G Flex 2 bija problemātiska - pēc desmit minūtēm jūsu rokās bija karsts sīkrīks, kas dažreiz aizkavējas.
Mums jāskrien
Gan LG, gan HTC atzina, ka viņi gāja pārāk tālu ar viedtālruņu izlaišanu Snapdragon 810, lai gan ne atklāti.
LG “galvenais” flagmanis G4 negaidīti saņēma vājāku sešu kodolu Snapdragon 808 mikroshēmu un pamatota iemesla dēļ.
Arī citi ražotāji nevēlas kārtējo reizi kāpt uz Qualcomm grābekļa.
Ķīnas uzņēmums Xiaomi, kas ir viens no Top 5 viedtālruņu ražotājiem, nākamgad varētu prezentēt savu procesoru, kas izstrādāts kopīgi ar Leadcore. Tas ne tikai ļaus mums atbrīvoties no atkarības no Qualcomm, bet arī samazinās jau tā lēto mobilo ierīču izmaksas.
Un pirms dažām dienām izrādījās, ka LG izstrādā savu jaudīgo un energoefektīvo mobilo mikroshēmu - NUCLUN 2. Un, visticamāk, tas, nevis Qualcomm procesors, nākamgad kļūs par LG G5 “sirdi”.
Pat neskatoties uz neveiksmīgā Snapdragon 810 izlaišanu, Qualcomm vēl nav zaudējis visas uzticības rezerves mobilo ierīču ražotāju vidū. Bet, ja kaut kas līdzīgs notiks ar Snapdragon 820, kuru paredzēts izlaist 2016. gadā, amerikāņu kompānijai būs grūti. Konkurenti kļūst spēcīgāki, un kļūdām vairs nav vietas.
Snapdragon 810! Nekad agrāk Qualcomm nav izlaidis mistiskāku SoC viedtālruņiem un planšetdatoriem. Vai tas pārkarst darbības laikā? Vai tas atbilst augstākajām mūsdienu spēļu un lietojumprogrammu prasībām? Mēs centīsimies rast atbildes uz šiem jautājumiem tieši tagad, ņemot vērā veiktspējas, grafisko īpašību un iespēju izveidot savienojumu ar globālajiem tīkliem testu rezultātus. 
Slashgear varēja instalēt Qualcomm Mobile Developer Platform MDP viedtālrunī un planšetdatorā. — burtiski visvairāk uzlabotās mobilās ierīces par naudu un izstrādātāja sertifikātu, ko var iegādāties, izmantojot etalonus un testēšanu. Planšetdatoram ir 4K displejs un 4 GB RAM, savukārt viedtālrunim ir 2K displejs un 3 GB atmiņa. Lūk, ko mēs noskaidrojām:
Testa rezultāti ir iespaidīgi
Vietnē AnTuTu MDP viedtālrunis saņēma milzīgu kopējo punktu skaitu 61 692. SoC sevi parādīja lieliski, un, ja tests būtu nekavējoties jāatkārto, rezultāti nebūtu bijuši daudz zemāki!
Tajā pašā laikā MDP planšetdators ar 4K displeju ieguva 52 102 punktus. Pašlaik jaudīgākais viedtālrunis mūsu datubāzē ir Snapdragon 805 ierīcē Nexus 6, kuram ir 2K displejs un AnTuTu ir 56 836 punkti. Qualcomm Adreno 430 GPU spēj vadīt 4K displeju ar gandrīz tādu pašu intensitāti kā Adreno 420 vada 2K displeju.
Savienojuma izveide ar globālo tīklu
Qualcomm ir darījis visu, lai paplašinātu savas mikroshēmas savienojamības iespējas. Snapdragon 810 atbalsta Cat 9 LTE un ir savietojams ar visiem galvenajiem mobilo sakaru standartiem un tehnoloģijām, kas atbalsta 4G LTE, tostarp GSM/EDGE, CDMA1x/EVDO, TD-SCDMA un WCDMA/HSPA+. Tas pat darbojas Ķīnā ar jebkuru mobilo sakaru standartu. Maksimālais zemfrekvences ātrums sasniedz 450 Mbps.
Baumas par pārkaršanu ir stipri pārspīlētas
Pēc baumām un ziņojumiem par Snapdragon 810 pārkaršanu, Qualcomm ir pastiprinājis bojājumu kontroli, cerot atjaunot sava vadošā kuģa reputāciju. Ražotājs sniedza novērtējumu par temperatūras izmaiņām mikroshēmas darbības laikā, par tipiskiem tās lietošanas scenārijiem. 
Vieglas lietošanas laikā - zvanot, fotografējot, pārlūkojot vispārīgas tīmekļa vietnes - sistēmas temperatūra svārstās no 86 - 95 F (30 - 35 grādi pēc Celsija), kas nav nekas neparasts. Temperatūras līmeņi var paaugstināties līdz 113 F (45 grādiem pēc Celsija), vadot prasīgas spēles. Kad šis pagrieziena punkts ir sasniegts, tiek aktivizēta temperatūras stabilizācijas funkcija, kas izvēlas optimālo pulksteņa frekvenci, lai novērstu pārkaršanu. 
Tiek ziņots, ka Snapdragon 810 spēj uzturēt komfortablu temperatūru 104 F (40 grādi pēc Celsija) vairāk nekā trīsdesmit minūtes pēc lielas slodzes. Pēc 5 minūšu ilgas 4K video ierakstīšanas tas uzsilst līdz 95 F (35 C). Lai gan ierīcēm, kuru pamatā ir Snapdragon 801, šajā gadījumā ir jāpārtrauc ierakstīšana.
Secinājums
Snapdragon 810 ir veidots, ņemot vērā tehnoloģiju attīstību, un tam ir daudzas mūsdienīgas iespējas – trokšņu samazināšanas funkcija, Dolby Atmos, Sense Audio, Quick Charge un citas. Konkurentiem būs smagi jācenšas sasniegt noteikto latiņu.
Snapdragon 810 sāks ražot marta vidū, kas nozīmē, ka visi vadošie viedtālruņi no MWC 2015, kas nav marķēti ar "Samsung", tiks piegādāti aprīlī-maijā. Tikmēr LG G Flex 2 un Xiaomi Mi Note Pro atsevišķās valstīs tiks izlaisti vēl agrāk.
* raksta tulkojums no Phonearena vietnes
Kurš Snapdragon procesors ir labāks? Lai atbildētu uz jautājumu, salīdzināsim pašreizējos Qualcomm mikroshēmojumu modeļus, kas atrodami ne tikai vecos viedtālruņos, bet arī 2017. gadā ražotajos tālruņos. Vispirms salīdzināsim Snapdragon procesoru īpašības un runāsim par katra modeļa galvenajām iezīmēm, pēc tam apstiprināsim savas prognozes par darbības ātrumu ar viedtālruņu testēšanas rezultātiem populāros etalonos.
Snapdragon procesoru īpašības
Jebkura procesora galvenās īpašības ir ražošanas process, centrālā procesora kodolu arhitektūra, kodolu skaits un to takts frekvence, kā arī mikroshēmojuma grafikas paātrinātājs. Šīm specifikācijām jāpievērš vislielākā uzmanība.
Viedtālruņa sildīšana, tā jutības pret droseles pakāpe (pulksteņa frekvences kritums slodzes laikā) un viedtālruņa darbības laiks ar vienu uzlādi ir atkarīgs no tehniskā procesa. Jo “mazāks” tehnoloģiskais process, jo ekonomiskāk mikroshēmojums izmanto akumulatoru.
Kodolu arhitektūra, to skaits un takts frekvence ietekmē darbības ātrumu. Jaudīgi kodoli, īpaši Cortex A72 vai Kryo, patērē vairāk enerģijas, bet veic daudz vairāk darbību vienā pulkstenī. Vienkārši sakot, tie ir ātrāki. Ekonomiskie serdeņi, kas ietver kodolus, kuru pamatā ir Cortex A53 arhitektūra, ir paredzēti vienkāršu uzdevumu risināšanai. Tie nepatērē akumulatoru tik agresīvi, taču arī ar procesiem darbojas lēnāk.
| 430 | 625 | 650 | 820 | |
|---|---|---|---|---|
| Tehniskais process | 28 nm | 14 nm | 28 nm | 14 nm |
| Kodolu skaits | 8 | 8 | 6 | 4 |
| Procesora arhitektūra | 8x ARM Cortex A53 | 8x ARM Cortex A53 | 2x ARM Cortex A72+ 4x ARM Cortex A53 | 4x Kryo centrālais procesors |
| Pulksteņa frekvence | līdz 1,4 GHz | līdz 2,0 GHz | līdz 1,8 GHz | līdz 2,15 GHz |
| Grafikas paātrinātājs | Adreno 505 GPU | Adreno 506 GPU | Adreno 510 GPU | Adreno 530 GPU |
| LTE modems | LTE Cat.4 lejupielādēt 150 Mbps pārraide līdz 50 Mbit/s | LTE Cat.13/7 lejupielādēt 300 Mbps pārraide līdz 150 Mbit/s | LTE Cat.7 lejupielādēt 300 Mbps pārraide līdz 100 Mbit/s | LTE Cat.13/12 lejupielādēt 600 Mbps pārraide līdz 150 Mbit/s |
Procesora kodolu skaits ietekmē tālruņa ātrumu daudzuzdevumu režīmā. Ja serdeņi ir veidoti uz vienas un tās pašas arhitektūras, tad jo vairāk to ir, jo labāk. Bet, pārejot uz jaunu arhitektūru, noteikums vairs nedarbojas.
Viedtālruņi ar četrkodolu Snapdragon 820 procesoru ir ātrāki nekā 8 kodolu tālruņi, kas veidoti uz iepriekšējo paaudžu mikroshēmojumiem. Ātruma atšķirība skaidrojama ar to, ka uzlabotie serdeņi laika vienībā veic vairāk darbību, kā dēļ tie pārliecinoši pārspēj savus “lēnos” priekšgājējus.
Grafikas adapteris nosaka viedtālruņa ātrumu spēlēs un strādājot ar 3D grafiku. Qualcomm Snapdragon procesoros tiek izmantotas dažādas Adreno grafikas paaudzes, kurām a priori raksturīga augsta veiktspēja. Atjauninātās adaptera versijas ar lielāku indeksu ir ātrākas nekā to priekšgājēji, kas ietekmē kadru nomaiņas ātrumu. Tas būs skaidri redzams no etalona rezultātiem.
Qualcomm Snapdragon procesoru galvenās iezīmes
Šajā raksta daļā mēs runājam par dažādu Qualcomm Snapdragon procesoru modeļu galvenajām iezīmēm, izceļot to stiprās un vājās puses efektivitātes, darbības ātruma un sildīšanas pakāpes ziņā, risinot sarežģītas (un ne tik sarežģītas) problēmas.
Qualcomm Snapdragon 430
Qualcomm Snapdragon 430 ir vājākais mikroshēmojums mūsu sarakstā. Tās vienīgā priekšrocība ir zemās izmaksas. Ražotāji, kuri vēlas piedāvāt pircējam lētu viedtālruni, izvēlas šo mikroshēmojumu kā kompromisa risinājumu.
Qualcomm Snapdragon 430 procesors ir veidots uz 8 atsauces Cortex A53 kodoliem, kas saskaņā ar mūsdienu standartiem darbojas ļoti zemā frekvencē. 1,4 GHz. Attiecīgi par viedtālruņa lielo ātrumu var aizmirst pat pirms tā iegādes. Grafikas paātrinātājs Adreno 505 ganās arī aizmugures. Tas joprojām ļaus jums spēlēt ar minimāliem iestatījumiem, taču kadru nomaiņas ātrums būs zems.
Tā kā Qualcomm Snapdragon 430 tiek ražots, izmantojot 28 nm procesu, tas salīdzinoši ātri iztukšo akumulatoru tik lēnam procesoram. Salīdziniet akumulatora darbības laika vērtējumus un. Tā paša tehniskā procesa dēļ būs manāma karsēšana spēlēs un strādājot ar smagām aplikācijām.
Snapdragon 625 procesors
Qualcomm Snapdragon 625 ir ļoti interesants mikroshēmojums, savā ziņā pat foršs. Protams, mēs šeit nerunājam par kosmiskajiem ātrumiem, modeļa galvenā priekšrocība ir ārkārtīgi zems enerģijas patēriņš ar gandrīz pilnīgu sildīšanas un droseles neesamību.
Lieliska energoefektivitāte skaidrojama ar to, ka Snapdragon 625 procesors ražots, izmantojot modernu 14 nm procesa tehnoloģiju. Tā paša iemesla dēļ viņš vienmēr paliek auksts, pat spēlēs. Grafikas paātrinātāja jauda Adreno 506 Pietiekami, lai spēlētu ar minimāliem un vidējiem iestatījumiem.
Centrālā procesora ātrums nav pārmērīgs, bet lielāks nekā S430. Arī viedtālruņa veiktspēja ir augstāka – Android darbosies raiti, un ar aplikācijām problēmām nevajadzētu būt, vismaz tad, ja Snapdragon 625 ir savienots pārī ar vismaz 3 GB operatīvo atmiņu. (.)
Snapdragon 650 procesors
Salīdzinot ar Qualcomm Snapdragon procesoriem, kurus mēs pārskatījām iepriekš, 650 Dragon ir gandrīz čempions ātruma ziņā. Tas izskaidrojams ar to, ka procesora arhitektūrā tiek izmantoti uzlaboti Cortex A72 kodoli. Jā, kopējais kodolu skaits ir mazāks, taču, veicot vairāk darbību vienā pulksteņa ciklā, procesors darbojas daudz ātrāk, tāpat kā uz tā uzbūvētie telefoni.
Grafikas paātrinātājs spēlēs uzlabo veiktspēju Adreno 510. Salīdzinot ar Snapdragon 625 un 430 procesoriem, atšķirība ir acīmredzama. Salīdzināšanas rezultātus atradīsit publikācijas beigās GFX etalonos. Kadru ātrums spēlēs būs lielāks, un jūs varat spēlēt ne tikai vidējos, bet arī maksimālajos iestatījumos. 
Snapdragon 650 procesora trūkums ir tāds, ka tas ražots pēc 28 nm procesa tehnoloģijas. Šī iemesla dēļ mikroshēmojums ļoti uzkarst un pazemina frekvences lielas slodzes apstākļos, tostarp 3D rotaļlietās. Šī funkcija ir jāņem vērā tiem, kam patīk spēlēt ilgu laiku un nevēlas piedzīvot fps kritumu. Arī akumulatora patēriņš ir lielāks, un viedtālruņa akumulatora darbības laiks ir mazāks.
Daži vārdi par Snapdragon 652. Tas atšķiras no 650 modeļa ar palielinātu kodolu skaitu līdz astoņiem, ar papildu kodoliem, kas veidoti uz Cortex A72 arhitektūras (jaudīga). Pateicoties tam, tas ir vēl ātrāks, lai gan tas nesasniedz S820. Trūkumi 28 nm procesa tehnoloģijas dēļ ir tie paši – droseles darbība un liels akumulatora patēriņš.
Snapdragon 820/821 procesori
Qualcomm Snapdragon 820/821 — 2016. gada populārākie mikroshēmojumi. To stiprās puses ir liels darbības ātrums un salīdzinoši zems akumulatora patēriņš, tāpat kā ātrajiem procesoriem. Mikroshēmas ir aprīkotas ar Adreno 530 grafisko paātrinātāju, kas pērn pārspēja rekordus un pārspēja gandrīz visus konkurentus.
Ja jums ir nepieciešams ļoti ātrs viedtālrunis vai ja vēlaties spēlēt smagas spēles ar maksimālo kadru ātrumu, viedtālruņi ar četrkodolu Snapdragon 820 procesoru ir lieliska izvēle. Lieliski, bet ne bez trūkumiem. Problēma ir tāda, ka viedtālruņi, kuru pamatā ir Snapdragon 820, neskatoties uz 14 nm ražošanas procesu, ir pakļauti pārkaršanai un dažreiz uzkarst līdz neērtām temperatūrām. 
Qualcomm inženieri mēģināja atrisināt problēmu vienā no Snapdragon 821 versijām. S821 “aukstā” versija saņēma AB indeksu, un tā darbojas ar tādām pašām atsauces frekvencēm kā S820. Viedtālruņi ar četrkodolu Snapdragon 821 procesoru ne vienmēr ir ātrāki par 820 Dragon tālruņiem, taču tie var būt vēsāki. Savā ziņā tas ir pat labāk, jo 820 jau ir pietiekami ātrs.
Snapdragon 821 versija ar indeksu, kas nav AB, ir procesors, kas ir pārspīlēts līdz 2,3 GHz ar tādu pašu arhitektūru un ar tādu pašu kodolu skaitu (4 Kryo CPU kodoli). Piemērs viedtālrunim ar 4 kodolu Snapdragon 821 procesoru, kas nav AB procesors. Salīdzinājumam, vai ir veidoti uz Snapdragon 821, kas darbojas atsauces frekvencēs, nepalielinot apstrādes jaudu.
Snapdragon 835 procesori
Jaunākais Snapdragon 835 mikroshēmojums ir pārsteidzošs veiktspējas ziņā. Šajā publikācijā mēs par to sīkāk nerunāsim, jo S835 un S821 procesoru salīdzināšanai ir veltīts īpašs materiāls.
Snapdragon procesori: salīdzinājums etalonos
Pāriesim pie Snapdragon procesoru salīdzināšanas populāros etalonos. Tālāk būs daudz diagrammu, kuras var netikt pareizi parādītas vecākās pārlūkprogrammās un dažās mobilajās platformās iebūvētajās pārlūkprogrammās. Ja rodas šī problēma, atveriet publikāciju pašreizējā Mozilla, Opera vai Chrome versijā.
Daži skaidrojumi par etaloniem. GeekBench novērtē centrālā procesora jaudu, kas ietekmē vienmērīgu operētājsistēmas darbību.
Snapdragon procesori GeekBench 4 (daudzkodolu)
Snapdragon procesori GeekBench 4 (viena kodola)
Antutu un BaseMark OS 2.0 mēs salīdzinām viedtālruņa kopējo ātrumu.
Snapdragon procesori AnTuTu 6
Snapdragon procesori operētājsistēmā BaseMark OS 2.0
GFX testi novērtē grafikas paātrinātāja jaudu, kas korelē ar darba ātrumu ar 3D grafiku un kadru nomaiņas ātrumu spēlēs.
GFX 3.1 Manhetenā
GFX 3.1 automašīna
Snapdragon procesoru salīdzinājums: kopsavilkums
Secinājumi vai komentāri par testa rezultātiem ir lieki; atliek tikai apkopot iepriekš minēto un izcelt galvenās Snapdragon procesoru iezīmes:
- Snapdragon 430: budžeta iespēja, kompromiss starp tālruņa lietošanas komfortu un tā izmaksām.
- S625: labākā izvēle tiem, kam nepieciešams foršs viedtālrunis ar ilgu akumulatora darbības laiku.
- S650/652: laba iespēja spēlētājiem un tiem, kas meklē ātru un lētu viedtālruni.
- S820: ļoti ātrs mikroshēmojums, kas kalpos pāris gadus. Viedtālruņi ar četrkodolu S820/S821 procesoru nav lēti, lai gan ir pieejamas iespējas.
- S835: labākais procesors publicēšanas laikā.
Jaunas publikācijas
– svarīgs faktors; ievērojama procesora temperatūras paaugstināšanās noved pie tā veiktspējas samazināšanās un pat var izraisīt bojājumus. Tāpēc ir svarīgi nodrošināt, lai tas nepārkarstu un darbotos normālos temperatūras apstākļos. Šajā materiālā apskatīsim temperatūras, kuras var uzskatīt par normālām mūsdienu procesoriem, kā arī runāsim par to, kā var pazemināt procesora temperatūru, uzlabojot datora dzesēšanas sistēmu.
Tātad, kāda ir normāla CPU temperatūra? Normālā procesora temperatūra dažādiem procesoriem var atšķirties atkarībā no tā īpašībām. Tomēr maksimālās vērtības, ko var saukt arī par parasto procesora temperatūru, ir:
- dīkstāves režīmā līdz 45 grādiem pēc Celsija;
- zem slodzes līdz 65 grādiem pēc Celsija;
Ja tas pārsniedz šos rādītājus, visticamāk, jums ir problēmas ar dzesēšanu. Šajā gadījumā ir nepieciešams steidzami veikt pasākumus, lai izvairītos no negatīvām sekām.
70 grādi un vairāk jau ir kritiskā temperatūra procesoram. Šādā temperatūrā veiktspēja var samazināties. Ja temperatūra paaugstinās vēl vairāk, dators tiks restartēts.
Lai procesors nenonāktu šādās ārkārtas situācijās, ir regulāri jāpārbauda tā temperatūra. Tas nav jādara katru dienu. Viens čeks mēnesī ir vairāk nekā pietiekami. Regulāras pārbaudes ļaus jums uzraudzīt procesora stāvokli un savlaicīgi reaģēt uz problēmu.
Lai pārbaudītu procesora temperatūru, nepieciešama īpaša programma. Viena no vienkāršākajām un ērtākajām šāda veida programmām ir programma. Ar tās palīdzību jūs varat uzzināt visu datora galveno komponentu temperatūru, tostarp: procesoru, cietos diskus un mikroshēmojumu. Turklāt, izmantojot šo programmu, jūs varat uzzināt dzesētāju spriegumu un griešanās ātrumu.
Iepriekš redzamajā ekrānuzņēmumā ir parādīta procesora temperatūra programmā HWmonitor. Temperatūras, kas apzīmētas ar "Core" ir temperatūras atsevišķiem . Iepakojuma temperatūra ir procesora korpusa temperatūra.
Katram temperatūras sensoram programma parāda trīs temperatūras: strāvu (sleja Vērtība), minimālo programmas darbības laikā (Minimālā kolonna) un maksimālo programmas darbības laikā (Max kolonna).
Kāpēc paaugstinās CPU temperatūra?
Procesora temperatūra var būt ārpus parastā līmeņa daudzu iemeslu dēļ. Apskatīsim populārākos no tiem:
Putekļi uz procesora radiatora. Visbiežākais paaugstinātas CPU temperatūras cēlonis. Laika gaitā uz radiatora uzkrājas milzīgs putekļu daudzums, kas pasliktina siltuma pārnesi. Tāpēc, ja jūs to nedarīsit vismaz reizi sešos mēnešos, jūs nevarēsit sasniegt normālu procesora temperatūru.
Slikta sistēmas bloka dzesēšana. Dažreiz CPU pārkaršana ir tikai daļa no lielākas problēmas. Ja sistēmas bloks ir slikti atdzesēts, tad nevar sasniegt normālu procesora un citu datora komponentu temperatūru. Visbiežākais sistēmas vienības pārkaršanas cēlonis ir putekļi. Bet dažreiz ir daudz eksotiskāku iemeslu. Piemēram, uzstādot sistēmas bloku tieši zem centrālās apkures radiatora.
Procesora montāžas problēmas. Diezgan reta problēma. Visbiežāk tas notiek pēc paša procesora nomaiņas.
Jau vairākus mēnešus klīda baumas, ka Qualcomm Snapdragon 810 SoC darbojas karsti, un tas ir saistīts ar Samsung lēmumu Samsung Galaxy S6 izmantot savu 14nm tehnoloģiju. Citi avoti liecina, ka tas ir rūpnīcas defekts. Samsung bija jāiepako planšetdators pēc tam, kad Apple nolēma pārcelt A9 ražošanu atpakaļ uz TSMC, un uzņēmums varēja izmantot savu 14 nm, kas bija ceļā. Kāpēc gan ne? Jauns pētījums ir atgriezis apkures problēmu un parādījis, ka Qualcomm 810 patiešām ir termiskās problēmas, kuras nebija iepriekšējās ierīcēs.
Ars Technica pārbaudīja Snapdragon 810 (tālrunī LG G Flex 2 un HTC M9)? un salīdzināja to ar citām ierīcēm, kurās izmanto silīciju Snapdragon 801 un 805. Tās bija vairāk nobriedušas 28 nm mikroshēmas ar zemāku maksimālo teorētisko veiktspēju, liecina Geekbench stresa tests. Šis tests nesen tika pārskatīts, lai precīzāk atbilstu reālās pasaules scenārijiem, šis tests vairs nav tikai maksimālās slodzes izstumšana no katra kodola un roku mazgāšana.
Qualcomm's 810 rezultāti nav īpaši iepriecinoši. Salīdzinot ar Exynos 7420, 14 nm mikroshēmu, ko izmanto Samsung Galaxy S6, tas ir vienkārši briesmīgi:
Abas mikroshēmas palēninājās (un vispār, tāpat kā visas Ars pārbaudītās mikroshēmas), bet Snapdragon 810 palēninājās daudzkārt vairāk. Trūkstošās domuzīmes abās rindās norāda laiku, kad abi kodoli pārgāja uz saviem "mazākajiem" kodoliem. Tādējādi Snapdragon 810 uz īsu brīdi palielināja pulksteņa ātrumu, taču katru reizi, kad tika izmantoti lielie serdeņi, mikroshēma bija jāizslēdz, lai izvairītos no pārkaršanas.
Tātad, vai Snapdragon 810 ir pārkaršanas problēmas? Tā kā mikroshēma palēnina vairāk nekā tā priekšgājēji, un šīs bremzes negatīvi ietekmē ierīces kopējo veiktspēju, atbilde noteikti ir jā. Bet tas nav beigas.
Tas, kas iet apkārt, nāk apkārt.
Neviens neapstrīd, ka Galaxy S6 ir pārāks, salīdzinot ar Qualcomm, tāpat kā iepriekšējās 28 nm mikroshēmas. Tomēr ir godīgi teikt, ka daļa šo problēmu iemesla ir tāpēc, ka ražotāji vēlas ievērojami samazināt savu ierīču svaru un biezumu. Pirmais Samsung Galaxy S tālrunis bija aptuveni 9,9 mm un 14 mm atkarībā no iegādātā varianta. Tajā tika izmantots viena kodola Cortex-A8 procesors, kas veidots uz 45 nm mezgla un ar takts frekvenci 1 GHz. Pašreizējais Samsung Galaxy S6 izmanto astoņu kodolu Cortex-A57/53 procesoru, un, neskatoties uz izmaiņām Geekbench testā, mikroshēma nerada pat tuvu 2,1 GHz. Tā vietā mikroshēma tikko sasniedz 1,6 GHz.
Šī problēma nav raksturīga tikai tālruņu un planšetdatoru tirgum. Intel Core M dažās konfigurācijās un to pašu iemeslu dēļ saskaras ar tām pašām problēmām. Ražotāji rada ierīces, kas pilnībā neatbilst to norādītajām īpašībām. Zināmā mērā tas tiek darīts apzināti. Intel mums teica, ka, izstrādājot Core M, tas deva ražotājam lielāku elastību, izvēloties savu termisko darbības rezervi un pulksteņa aploksni. Bet, kad runa ir par tādu ierīču pārdošanu, kurām nav pietiekami daudz dzesēšanas, lai tās vismaz atbilstu to priekšgājējiem, rodas šī problēma.
Secinājums ir šāds: Mūra likums vairs neattiecas uz jebkuru ARM vai x86 ierīci. Uzstāšanās samazināt biezumu un svaru, vienlaikus palielinot serdeņu skaitu, nozīmē, ka ražotājiem ir maz manevrēšanas iespēju. Taisnības labad jāsaka, ka Qualcomm mikroshēmai ir neizdevīgi jaudas raksturlielumi, taču daļa vainas par šī fakta gala rezultātu (nepieredzējuši lietotāji) gulstas uz tādu uzņēmumu pleciem kā HTC un LG, kas nolēma izveidot ātri sildošas mikroshēmas, kuras nespēj adekvāti uzraudzīt dzesēšanu, lai uzņemtos risku pievienot milimetru biezumu labākai dzesēšanas sistēmai.
Ir pienācis laiks atbrīvoties no fantāzijas, ka Apple vai Samsung kādu dienu izveidos tik plānu viedtālruni, lai tas būtu divdimensiju, un atgriezīsies laikos, kad ierīces bija pietiekami izturīgas, lai tām nebūtu vajadzīgi lielgabarīta korpusi, kas neglābtu. ja tik un tā nokritīs. Ņemot vērā, ka tas uzlabo dzesēšanu un mēs varam iegūt labāku veiktspēju ilgtermiņā, nav nekāda aizķeršanās.
