Uma apresentação é representada que pode ser usada em aulas de física, bem como no exercício sobre engenharia elétrica e noções básicas de eletrônicos em instituições educacionais profissionais secundárias. O papel é definido o tópico " dispositivos semicondutores”.
Semiconductor ou construtivo elétrico é chamado de instrumentos cuja ação é baseada no uso de semicondutores.
K Semicondutores incluem elementos do quarto grupo de mesa de Mendeleev, tendo uma estrutura de cristal. Alemanha, silício, selênio são os mais comuns.
K Semicondutores também incluem óxidos metálicos - óxidos, compostos com cinza - sulfetos, compostos de selênio - selenides.
Tipos de semicondutores e seus condutores. O próprio semicondutor é um semicondutor despreparado.
O processo da ocorrência de elétrons e buracos livres é chamado de geração de operadoras de carga.
B Semiconductor é possível processo, processo de geração reversa - recombinação. Durante a recombinação, o par de cobranças de cobranças que o monitoramento de transportadores de carga ocorre e, portanto, a condutividade elétrica no semicondutor aumenta com a temperatura crescente. Aos temperaturas, a concentração de operadoras de carga para a GE pura é de 10 13 cm -3, para Si - 10 11 cm -3.
Este semicondutor tem sua própria condutividade, que consiste em elétrons e buracos em quantidades iguais
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Tipos de semicondutores e seus condutores
Semicondutor eletrônico
A condutividade desse tipo é chamada eletrônica ou n-tipo (de negativo - negativo).
Uma impureza, que dá excesso de elétrons é chamado de doador (dando elétrons - os principais portadores de encargos, e os buracos são não essenciais.
Buraco semicondutor
O buraco (tipo P) é o semicondutor de impureza, a valência de átomos da impureza é menor que a valência de átomos do semicondutor puro. Por exemplo, germânio com uma mistura da Índia. A condutividade de tal semicondutor será determinada por buracos e é chamada de buraco ou r.-Type (de positivo - positivo).
Uma impureza, que dá um buraco excesso, é chamado acceptor (host).
Os buracos são as principais transportadoras das acusações, e os elétrons são não residenciais.
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Diodos semicondutores
1. O caso da falta de tensão.
A área em que a camada elétrica dupla é formada e o campo elétrico é chamado de transição N-P de buraco de elétrons.
As principais operadoras de carga, movendo-se através do N-P - a transição, criam uma corrente de difusão. O movimento de operadoras de carga não essenciais cria corrente de condução.
B Condição de equilíbrio Essas correntes são iguais em tamanho e opostos em direção. Em seguida, a corrente resultante através da transição é zero.
2. Caso de tensão direta.
Essa polaridade é chamada reta.
Com tensão direta, o campo externo enfraquece o campo N-P - campo de transição.
A transição das principais operadoras de carga prevalecerá sobre a transição de operadoras de carga não essenciais. Uma corrente direta passará pela transição. Esta corrente é ótima, porque Determinado pelas principais operadoras de carga.
3. Caso de tensão reversa.
Através de N-P - a transição passa apenas por transportadoras de carga não essenciais: orifícios de N - semicondutores e elétrons de P - semicondutor. Eles criam na corrente de circuito externo, oposta à corrente direta - corrente inversa. É cerca de mil vezes menos corrente direta, porque Determinado por operadoras de carga não essenciais.
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Diodo característico voltamper
Com a crescente tensão de retorno, os fluxos das principais operadoras de carga são reduzidos, a corrente inversa aumenta.
Aumento adicional de você Aumentar a corrente ligeiramente, porque É determinado pelos fluxos de operadoras de carga não essenciais.
A principal propriedade de diodos: porque Os diodos são bem conduzidos na direção direta e mal no oposto, então eles têm propriedade da condutividade unilateral, são válvulas elétricas e são usadas em diagramas de retificadores AC.
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Tipos de diodos
Dispositivo de diodo plano.
Dispositivo diodo digital
Designação de diodos semicondutores em diagramas.
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Apoie os diodos do silício.
Este diodo é projetado para que aumente a tensão de retorno (aplicada a n-p. - Transição) acima de algum limite leva a uma ruptura de diodo - aumento rápido na corrente de retorno EU. OBR com tensão de retorno constante VOCÊ. arr.
Se a corrente através do diodo exceder EU. Mah, vai levá-lo a superaquecimento e destruição. As características da estação de trabalho é uma parcela de EU. Min ser. EU. Mah. , que é usado para estabilizar a tensão. Os diodos de referência são usados \u200b\u200bpara estabilizar a tensão e criar uma tensão de referência (referência). Portanto, eles são chamados de Silicon Stabilongs.
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Apresentação no tópico: Dispositivos semicondutores
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Descriço do Slide:
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Descriço do Slide:
Desenvolvimento rápido e expansão de aplicações dispositivos eletrônicos Defendido melhorando a base de elementos, cuja base é a base de materiais semicondutores de dispositivos semicondutores de acordo com sua resistência específica (ρ \u003d 10-6 ÷ 1010 ohm m) ocupam um local intermediário entre os condutores e dielétricos. O rápido desenvolvimento e a expansão das aplicações de dispositivos eletrônicos são devidos à melhoria da base do elemento, cuja base é os materiais semicondutores do dispositivo semicondutor em sua resistência específica (ρ \u003d 10-6 ÷ 1010 ohm m) ocupam um local intermediário entre os condutores e dielétricos.
Não. Slide 3.
Descriço do Slide:
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Descriço do Slide:
Para a fabricação de dispositivos eletrônicos, são usados \u200b\u200bsemicondutores sólidos com uma estrutura cristalina. Para a fabricação de dispositivos eletrônicos, são usados \u200b\u200bsemicondutores sólidos com uma estrutura cristalina. Os dispositivos semicondutores são chamados de instrumentos cuja ação é baseada no uso de propriedades de semicondutores.
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Descriço do Slide:
Os diodos semicondutores são um dispositivo semicondutor com uma transição P-N e duas conclusões, cuja operação é baseada nas propriedades da transição P-N -. Básico propriedade p-n - A transição é condutividade unilateral - a corrente continua apenas em uma direção. A designação condicionalmente gráfica (Hugo) do diodo tem a forma de uma seta, que indica a direção da corrente de fluxo através do dispositivo. Um diodo estruturalmente consiste em uma transição P-N incluída no alojamento (com exceção de micromodulas inadequadas) e duas conclusões: a partir da região P - ânodo, da região N - o cátodo. Aqueles. Um diodo é um dispositivo de semicondutores que transmite corrente apenas em uma direção - do ânodo para o cátodo. A dependência da corrente através do dispositivo da tensão aplicada é chamada de característica de volt-ampere (WA) do dispositivo I \u003d F (U).
Não. Slide 6.
Descriço do Slide:
Transistors O transistor é um dispositivo semicondutor projetado para melhorar, gerar e converter sinais elétricos, bem como trocar circuitos elétricos. Uma característica distintiva do transistor é a capacidade de melhorar a tensão e a corrente - o transistor de tensão que atua na entrada e as correntes levam à aparência de uma quantidade significativamente maior de voltagens em sua saída e correntes. O transistor recebeu seu nome da redução de duas palavras inglesas Tran (re) Sistor é um resistor controlado. O transistor permite ajustar a corrente na corrente de zero para o valor máximo.
Não. Slide 7.
Descriço do Slide:
Classificação dos transistores: Classificação dos transistores: - sobre o princípio da ação: campo (unipolar), bipolar, combinado. - pelo valor do poder dissipado: pequeno, médio e grande. - pelo valor da frequência limite: baixa, média, alta e ultra-alta-frequência. - pelo valor da tensão de operação: baixa e alta tensão. - Por finalidade funcional: Universal, amplificando, chave, etc. - De acordo com a execução construtiva: inadequada e no caso, com conclusões rígidas e flexíveis.
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Descriço do Slide:
Dependendo das funções executadas, os transistores podem operar em três modos: Dependendo das funções executadas, os transistores podem operar em três modos: 1) modo ativo - usado para melhorar os sinais elétricos em dispositivos analógicos. A resistência do transistor varia de zero para o valor máximo - eles dizem que o transistor "abre" ou "é subped". 2) Modo de Saturação - A resistência do transistor tende a zero. Neste caso, o transistor é equivalente a um contato de relé fechado. 3) Modo Cutching - O transistor é fechado e tem alta resistência, isto é. É equivalente a um contato de relé aberto. Os modos de saturação e corte são usados \u200b\u200bem circuitos digitais, pulso e comutação.
Deslize o número 9.
Descriço do Slide:
Indicador O indicador eletricamente é um dispositivo de exibição eletrônica projetado para controlar visualmente eventos, processos e sinais. Os indicadores eletrônicos são instalados em vários equipamentos nacionais e industriais para informar uma pessoa sobre o nível ou valor de vários parâmetros, como tensões, corrente, temperatura, carga da bateria, etc. Muitas vezes, o indicador eletrônico é erroneamente chamado de indicador mecânico com uma escala eletrônica.
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Classificação e designação de dispositivos semicondutores: Teplikov I. Senyukov E.Clade 2.
Introdução Ao usar dispositivos semicondutores em dispositivos eletrônicos para a unificação de sua designação e padronização de parâmetros, são usados \u200b\u200bsímbolos. Este sistema classifica os dispositivos semicondutores para sua finalidade, parâmetros físicos e elétricos básicos, propriedades estruturais e tecnológicas, visualização de tipo semicondutor. O sistema de designações condicionais de dispositivos semicondutores domésticos é baseado em padrões estaduais e industriais. O primeiro GOST sobre o sistema de designações de dispositivos semicondutores GOST 10862-64 foi introduzido em 1964. Em seguida, como o surgimento de novos grupos de classificação, os instrumentos foram alterados para o GOST 10862-72, e depois no padrão setorial OST 11.336.038-77 e OST 11.336.919-81, respectivamente, em 1972, 1977, 1981. Com esta modificação, os principais elementos do código digurístico do sistema de símbolos são preservados. Este sistema de designações é projetado logicamente e permite que você se acumule como a base do elemento é desenvolvida. Os principais termos, definições e designações alfabéticas dos parâmetros principais e de referência dos dispositivos semicondutores são mostrados nos seguintes GOSTS: 25529-82 - Diodos semicondutores. Termos, definições e designações de parâmetros alfabéticos; 19095-73 - Transistores de campo. Termos, definições e designações de parâmetros alfabéticos; 20003-74 - Transistores bipolares. Termos, definições e designações de parâmetros alfabéticos; 20332-84 - Tiristores. Termos, definições e designações de parâmetros alfabéticos.
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Notação condicional e classificação de dispositivos semicondutores domésticos O sistema de designações de diodos de semicondutores modernos, tiristores e dispositivos optoeletrônicos é estabelecido pelo padrão setorial OST 11 336.919-81 e baseia-se em vários recursos de classificação desses dispositivos. O sistema de designação é baseado em um código alfanumérico que consiste em 5 elementos ...
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O primeiro elemento é o primeiro elemento (letra ou dígito) indica o material semicondutor original, com base nos quais um dispositivo semicondutor é criado. Para os instrumentos do uso geral, as letras são usadas, que são letras iniciais em nome do semicondutor ou composto semicondutor. Para dispositivos especiais, os números são usados \u200b\u200bem vez dessas letras. Designação de materiais originais de germânio ou seu composto G ou 1 silício ou seu composto a ou 2 compostos de gálio (por exemplo, arsenide gálio) A ou 3 compostos da Índia (por exemplo, fosfeto da Índia) e ou 4
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O segundo elemento - subclasse de dispositivos semicondutores. Normalmente, a letra é selecionada a partir do nome do dispositivo, como a primeira letra da subclasse de nomes de instrumentos. Legenda. E os tiristores são trígios em emitir dispositivos OE L Diodos e OptoCouplers
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Terceiro elemento. O terceiro elemento (dígito) na designação de dispositivos semicondutores, determina o funcionalidade. instrumento. Em várias subclasses de dispositivos, os parâmetros operacionais mais característicos (funcionalidade) são diferentes. Para transistores, é uma frequência operacional e dissipação de energia, para diodos retificáveis - valor máximo Corrente direta para estabilistas - tensão de estabilização e poder de dissipação, para tiristores - o valor atual no estado aberto.
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Quarto elemento. O quarto elemento (2 ou 3 dígitos) significa o número de sequência de design tecnológico e varia de 01 a 999.
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O quinto elemento. O quinto elemento (letra) no código alfanumérico do sistema de símbolos indica o distúrbio de acordo com parâmetros separados de instrumentos feitos em uma única tecnologia. Para a designação são usados letras maiúsculas Alfabeto russo de A a Z, além de S, O, H, S, Sh, U, eu, semelhante a soletrar com números.
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Designações condicionais e classificação de dispositivos de semicondutores estrangeiros no exterior Existem vários sistemas para dispositivos semicondutores. O mais comum é o sistema de designação JEDEC adotado pelo Conselho Técnico dos Estados Unidos sobre eletrodomésticos dos EUA. Neste sistema, os instrumentos são indicados pelo índice (código, marcação), no qual o primeiro dígito corresponde ao número transições P-N: 1 - Diodo, 2 - Transistor, 3 - Tetrod (Tiristor). A figura da letra N e o número de série, registada pela Associação de Empresas da Indústria Eletrônica (EIA). O número pode ser uma ou mais letras, apontando para a repartição dos instrumentos do mesmo tipo sobre os sintomas em vários parâmetros ou características. No entanto, os dígitos do número de série não definem o tipo de material de origem, a faixa de freqüência, a potência de dispersão ou o escopo. Na Europa, é utilizado um sistema no qual as designações dos dispositivos semicondutores são atribuídas pelo International Pro Elecnon. De acordo com este sistema, os aparelhos para aparelhos domésticos são amplamente utilizados em duas letras e três dígitos. Assim, em dispositivos de ampla utilização após duas letras há um número de sequência de três dígitos de 100 a 999. Em instrumentos utilizados em equipamentos industriais e especiais, o terceiro sinal - a letra (letras são usadas na ordem alfabética oposta: Z, y, x, etc.), atrás do qual o número de sequência é de 10 a 99.
Claro 10.
Clade 11.
Primeiro elemento. O primeiro elemento (letra) denota o material semicondutor original, com base nos quais um dispositivo semicondutor é criado. 4 letras latinas A, B, C e D são utilizadas, de acordo com o tipo de semicondutor ou composto semicondutor. Largura Material da Zona Proibida, Convenções EV Alemanha 0,6 ... 1 e Silício 1 ... 1,3 V Arsenide Gálio Mais de 1.3 Com Antimonide da Índia Menos de 1,6 D
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O segundo elemento (letra) indica uma subclasse de dispositivos semicondutores. O terceiro elemento (dígito ou carta) denota em dispositivos de semicondutores alfanuméricos, destinados ao instrumento de uso geral (dígito) ou para equipamento de uso especial (letra). Como uma carta no último caso, a capital latina letras gastas em ordem reversa Z, y, x, etc. O quarto elemento (2 dígitos) significa o número de sequência de desenvolvimento tecnológico e varia de 01 a 99. Por exemplo, o VTX10-200 é um retificador controlado por silicone (tiristor) de um propósito especial com um número de registro 10 e tensão de 200 V.
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o Standard JIS-C-7012 Sistema de designação padrão desenvolvido no Japão (padrão JIS-C-7012, adotado pela Associação do Japão da EIAJ-Electronic Industries) permite determinar a classe de semicondutor (diodo ou transistor), sua finalidade, tipo de condutividade semicondutora. O tipo de material semicondutor no sistema japonês não é refletido. A designação condicional de dispositivos semicondutores de acordo com o padrão JIS-C-7012 consiste em cinco elementos. Primeiro elemento. O primeiro elemento (dígito) denota o tipo de dispositivo semicondutor. 3 dígitos (0, 1, 2 e 3) são usados \u200b\u200bde acordo com o tipo de instrumento. Segundo elemento. O segundo elemento é denotado pela letra S e indica que este dispositivo é semicondutor. A letra S é usada como uma letra inicial da palavra semicondutor. Terceiro elemento. O terceiro elemento (letra) denota uma subclasse de dispositivos semicondutores. Abaixo na tabela mostra as letras usadas para designar subclasses um quarto elemento. O quarto elemento indica o número de registro de desenvolvimento tecnológico e começa com o número 11. Quinto elemento. O quinto elemento reflete a modificação do desenvolvimento (A e B - a primeira e segunda modificação).
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O sistema de dispositivos Jedec Jedec (Conselho de Engenharia de Dispositivos Elônicos), adotado pelo Conselho Técnico dos Estados Unidos sobre eletrodomésticos dos EUA. Neste sistema, os instrumentos são indicados pelo índice (código, marcação), no qual: o primeiro elemento. O primeiro elemento (dígito) indica número P-N transições. 4 dígitos (1, 2, 3 e 4) são usados \u200b\u200bde acordo com o tipo de instrumento: 1 - diodo, 2 - transistor, 3 - Tiristor, 4 - OPtoPara. Segundo elemento. O segundo elemento consiste na letra N e no número de série, que é registrado pela Associação de E-industriais (EIA). Os dígitos do número de série não definem o tipo de material de origem, a faixa de freqüência, a potência de dispersão e o escopo. Terceiro elemento. O terceiro elemento é uma ou mais letras, indicam a desagregação dos instrumentos do mesmo tipo sobre os sintomas várias características. O fabricante, os instrumentos dos quais em seus parâmetros são semelhantes aos instrumentos, o EIA registrado, pode representar seus dispositivos com a designação adotada através do sistema JEDEC. Exemplo: 2N2221A, 2N904.
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Designações gráficas e padrões em documentação técnica e literatura especial aplicada designações gráficas condicionadas de dispositivos semicondutores de acordo com as designações condicionais de GOST 2.730-73 ", gráfico em esquemas. Dispositivos semicondutores ".
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Claro 26.
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Triode, bloqueado em direção oposta, desligado, com controle do anoma catódico
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Lenda parâmetros elétricos E os dados de referência comparativos de dispositivos de semicondutores para dispositivos de semicondutores também são identificados e padronizados os valores dos principais parâmetros elétricos e as características operacionais de limite, que são fornecidas em livros de referência. Esses parâmetros incluem: tensão (por exemplo, UPR - Tensão de diodo direto constante), corrente (por exemplo, ist, max - máximo corrente permitida Na estabilização do Stabitron, poder (por exemplo, a potência de saída de um transistor bipolar), resistência (por exemplo, resistência ao diferencial de diodo), capacidade (por exemplo, CK - capacitância da transição do coletor), tempo e frequência (para Exemplo, Twos, Orp - Recuperação do Tempo Reverso do Tiristor, Diodo), Temperatura (por exemplo, Tmax - temperatura ambiente máxima). O número de valores dos principais parâmetros elétricos é calculado por centenas, e para cada subclasse do dispositivo semicondutor, esses parâmetros serão diferentes. Em Edições de Referência, os valores dos principais parâmetros elétricos e as características operacionais de limite de dispositivos semicondutores são fornecidos. Abaixo, como exemplo, esses dados são dados para representantes típicos de vários tipos de instrumentos.
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Exemplos de sinais de alguns transistores: KT604A - silicone bipolar, poder médio, baixa frequência, número de desenvolvimento 04, grupo A 2T920 - silicone bipolar, alta potência, alta frequência, número de desenvolvimento 37, grupo A 2PS202A-2 - um conjunto de Transistores de campo de silicone de baixa potência de média frequência, desenvolvimento de números 02, grupo A, inapplicação, com conclusões flexíveis sobre o suporte de cristal. 2d921a - um diodo de pulso de silício com um tempo de vida eficaz de transportadoras de carga sem sentido Menos de 1NC, Número de Desenvolvimento 21, Grupo A 303G - ArsenidoGallium Diodo Gerador de Túnel, Número de Desenvolvimento 3, Grupo G Ad103B - ArsenidoGallium Emitindo Diodo Infravermelho, Grupo B.
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Principais GOSTS: GOST 15133-77 Dispositivos semicondutores. Termos e definições de dispositivos de semicondutores OST 11 336.919 -81. Sistema de símbolos. GOST 2.730-73 Designações gráficas condicionais nos esquemas. Dispositivos semicondutores GOST 18472-82 Dispositivos semicondutores. Dimensões principais GOST 20003-74 Transistores bipolares. Termos, definições e designações de parâmetros alfabéticos. GOST 19095 - 73 transistores de campo. Termos, definições e designações de parâmetros alfabéticos. GOST 23448 - 79 Instrumentos emissor de infravermelho semicondutor. Dimensões principais. GOST 25529-82 Diodos semicondutores. Termos, definições e designações de parâmetros alfabéticos.
Apresentação "Meios de Medição de Temperatura"
A apresentação fornece uma classificação de ferramentas de medição de temperatura com contato sem contato. Os princípios de operação de um termômetro de manutenção de pressão, um termômetro de resistência, um termômetro termoelétrico, um pirômetro é apresentado. Instrumentos típicos de medição de temperatura usados \u200b\u200bem empresas industriais
Esta apresentação pode ser utilizada no estudo do material teórico na disciplina "Automação de processos tecnológicos" para a especialidade 270107 "Produção de produtos e estruturas não metálicos de construção"
A apresentação estabelece as seguintes perguntas:
1 medição de temperatura
2 medição de temperatura no método de contato
3 termômetros manométricos.
4 termômetros de resistência elétrica
5 termômetros termoelétricos (termopares)
6 conversores de temperatura inteligentes
7 termômetros digitais digitais
8 Medição de temperatura de contato
9 pirômetros
10 sistema de medição de temperatura universal
11 sensores infravermelhos sem contato
12 pirômetros monocromáticos
13 Pirômetros de Relações Espectrais
14 Relações espectral de pirômetros de fibra ótica
15 perguntas para o autocontrole.
Esta apresentação foi realizada de acordo com os requisitos para os resultados do desenvolvimento de disciplinas e programas de trabalho nas especialidades especificadas
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Assinaturas para slides:
Meios de medição de temperatura. Conferencista NKE Krivonosova N.V.
conteúdo 1 Temperatura de Medição 2 Método de Medição Método 3 Pomegone Maker Termômetros 4 Termômetros de Resistência Elétrica 5 Termômetros Thermo Electric Termômetros (Termopares) 6 Transdutores de Temperatura Inteligente 7 Termômetros Digital Digital Pequeno Tempo Runtime 8 Não Contato Medição de Temperatura 9 Pirômetros 10 Sistema de Medição de Temperatura Universal 11 Contato Sensores infravermelhos 12 Pirômetros monocromáticos 13 Pirômetros Relações espectral 14 Pirômetros de fibra óptica Relações espectral 15 perguntas
Os dispositivos de temperatura de medição para medição de temperatura são divididos em dois grupos: - Contato - Existe um contato térmico confiável do elemento sensível do dispositivo com um objeto de medição; - elemento não contacto - elemento sensível do termômetro no processo de medição não possui contato direto com o meio medido
Medição do método de contato de temperatura Classificação de acordo com o princípio da ação: 1. Termômetros de expansão - O princípio da operação é baseado na mudança no volume de dimensões fluidas (líquido) ou lineares de sólidos (bimetálicos) quando a temperatura é alterada. O limite de medição de menos 190 ° C para mais 600 ° C.
2. Termômetros Manométricos - O princípio da operação é baseado na alteração da pressão dos líquidos, uma mistura ou gás pop-brilho em um volume fechado com uma alteração de temperatura. Os limites de medição de menos 150 ° C para mais 600 ° C. Medição de temperatura no método de contato
Medição de temperatura no método de contato 3. Os termômetros de resistência elétrica são baseados na alteração da resistência elétrica de condutores ou semicondutores quando a temperatura muda. Os limites de medição de - 200 ° C a + 650 ° C.
Medição de temperatura no método de contato 4. Transdutores termoelétricos (termopares) são baseados na ocorrência de força termoelétrica quando aquecida contornando condutores heterogêneos ou semicondutores. Faixa de temperatura de - 200 ° C a + 2300 ° C.
Termômetro manométrico termômetro de manutenção de pressão com primavera tubular
Termômetros de pressão A dependência da pressão sobre a temperatura tem o formulário em que \u003d 1 / 273,15 é o coeficiente de temperatura de expansão do gás; t 0 e t - temperatura inicial e final; P 0 é a pressão da substância de trabalho a uma temperatura t 0. P t \u003d p o (1 + β (t - a)))
Termômetros de resistência elétrica fazem termômetros de resistência de platina (TSP) para temperaturas de -200 a +650 0 C e termômetros de resistência de cobre (TCM) para temperaturas de -50 a +180 0 C.
Termômetros de resistência elétrica termômetros de resistência semicondutores, que são chamados de termistores ou termistores, são usados \u200b\u200bpara medir a temperatura na faixa de -90 a +180 0 C.
Instrumentos termômetros de resistência elétrica que funcionam com termômetros de resistência: - pontes balanceadas - pontes desequilibradas, - logômetros.
termômetros termoelétricos (termopares) Spay termopares com temperatura T 1 é chamado de quentes ou trabalhadores, e a rotação com t 0 é fria ou livre. Termodes Termopares têm uma função de duas temperaturas: e ab \u003d f (t l, t 0).
termômetros termoelétricos (termopares) Diagrama elétrico do conversor termoelétrico (termopar)
dispositivos termômetros termoelétricos (termopares) funcionando com termopares: - Magnetoelétrico Malelvoltmeters; - Potenciômetros automáticos.
termômetros termoelétricos (termopares) graduações de termopar padrão
termômetros termoelétricos (termopares) Conversores térmicos com um sinal de saída unificado TKAU METRAN - 271, Tsmu Metran - 74
termômetros termoelétricos (termopares) Thau Metrane - 271, TSMU METRAN - 74 O elemento sensível do conversor primário e o transdutor de medição integrado na cabeça do sensor converte a temperatura medida em um sinal de saída de corrente unificado, o que torna possível construir ACS TP sem Aplicando transdutores de normalização adicionais
termômetros termoelétricos (termopares) Thau Metrane - 271, TSMU METRAN - 74 O uso de conversores térmicos é permitido em ambientes neutros e agressivos, com relação aos quais o material do reforço de proteção é resistente à corrosão
Conversores de temperatura inteligentes de Metran - 281 Metrans - 28 6
Conversores de temperatura inteligentes Transdutores de temperatura inteligentes (IPT) METRAN-280: METRAN-281, METRAN-286 são projetados para medições precisas da temperatura de neutro, bem como meios agressivos relativos aos quais o material do reforço de proteção é resistente à corrosão.
Conversores de temperatura inteligentes O controle IPT é realizado remotamente, enquanto o sensor está configurado: - Seleção de seus principais parâmetros; - Reconfiguração de intervalos de medição; - Solicitar informações sobre o próprio IPT (tipo, modelo, número de série, faixas de medição máxima e mínima, faixa de medição real).
Os conversores de temperatura inteligentes em METRAN-280 são implementados três unidades de temperatura: - graus Celsius, º C; - Graus Kelvin, K; Fahrenheit graus, F. A faixa de temperaturas medidas de 0 a 1000 º C.
Os conversores de temperatura inteligentes construtivamente o METRAN-280 consistem em uma imagem térmica e um módulo eletrônico incorporado no alojamento da cabeça de conexão. Os elementos sensíveis do cabo térmico KTMS (HA) ou elementos sensíveis resistivos do fio platinum são usados \u200b\u200bcomo o conversor térmico principal.
Transdutores de temperatura inteligentes Quando um mau funcionamento no modo de autodiagnóstico é detectado, o sinal de saída é definido para um estado correspondente ao alarme inferior (I ≤ 3,77 mA). O METRAN-280 implementa o modo de proteção das configurações do sensor de acesso não autorizado.
Termômetros digitais TCM 9210 de tamanho pequeno
Termômetros digitais termômetros de tamanho pequeno TCM 9210 são oferecidos para substituir os termômetros de vidro líquido (mercúrio, etc.). O TCM 9210 fornece uma indicação clara de temperatura em condições de iluminação fraca.
Thermômetros digitais digitais digitais Thermometros digitais TCM - 9210 são projetados para medir a temperatura de mídia a granel, líquido e gasoso por imersão de conversores térmicos até quarta-feira (medições submersíveis) ou para medições de contato de temperatura superficial (medições de superfície) com vista de uma temperatura medida em uma exibição digital da unidade eletrônica.
Termômetros Digital Termômetros de tamanho pequeno são usados \u200b\u200bem pesquisa científica, processos tecnológicos em mineração, óleo, processamento de madeira, alimentos e outras indústrias. A faixa de temperaturas medidas de 50 a +1800 º C.
Termômetros Digital Termômetros de tamanho pequeno consistem em um termopar (TTC), unidade eletrônica e unidade de fonte de alimentação. O TTC consiste em um elemento sensível (CE) com uma casca protetora, fios de conexão interna e conclusões externas que permitem conectar-se ao bloco eletrônico do termômetro.
Os termômetros digitais pequenos como o CE nos termômetros TTC usam os termopares de resistência PT100, conversores termoelétricos (K). A unidade eletrônica é projetada para converter o sinal proveniente da saída TTC para o sinal de informação de medição, que é exibido no placar digital.
A medição sem contato de temperatura para dispositivos de não contato inclui pirômetros de radiação: 1. Pirômetros de radiação parcial (brilho, óptica), com base na mudança na intensidade dos órgãos de radiação monocromáticos, dependendo da temperatura. Limite de medição de 800 a 6000 º C.
Medição de temperatura de contato 2. Os pirômetros de radiação são baseados na dependência do poder de radiação do corpo aquecido de sua temperatura. O limite de 20 a 2000 º C.
Medição de temperatura de contato 3. Pirômetros de cor - Baseado na dependência das intensidades de radiação em dois comprimentos de onda da temperatura corporal. Limites de medição de 200 a 3800 º C.
pirômetros Pirômetros portáteis ST20 / 30PRO, ST60 / 80PROPLUS
pirômetros Pirômetros portáteis ST20 / 30PRO, ST60 / 80Proplus de alta velocidade, compact e piroladores de pistola de pistola fornecem sem contato medições precisas As temperaturas de objetos pequenos, prejudiciais, perigosos e difíceis são simples e fáceis de operar.
pirômetros Pirômetros portáteis ST20 / 30PRO, ST60 / 80Proplus Mediram a faixa de temperatura de - 32 a +760 º C. Erro no intervalo de 32 a +26 º C. Vista: laser. Sensibilidade espectrais: 7 - 18 microns. Tempo de resposta: 500 ms. Indicador: Display LCD com luz de fundo e resolução; 0,1 º C ST60PRO. Temperatura ambiente: 0 - 50 0 c.
pirômetros Raynger 3i.
pirômetros Raynger 3i - uma série de sem contato termômetros infravermelhos Tipo de pistola com visuais precisos com grandes faixas de medição, várias características ópticas e espectrais, uma ampla variedade de funções, o que permite escolher um pirômetro de acordo com sua finalidade
raynger 3i - 2m e 1m de pirômetros (modelos de alta temperatura) - para fundição e produção metalúrgica: em processos de refinação, fundição e processamento de ferro fundido, aço e outros metais, para produção química e petroquímica; - LT, LR (modelos de baixa temperatura) - para controlar a temperatura na produção de papel, borracha, asfalto, material de cobertura.
os pirômetros nos pirômetros da série Raynger 3i são fornecidos: - Memória para 100 medições; - Sistema de alarme dos limites de medição superior e inferior; - processamento de sinal de microprocessador; - Acesso ao computador, verificador, impressora portátil; - Compensação de fundo de energia refletido.
raynger 3i Pirometros para o modelo LT, LR a gama de temperaturas medidas de 30 a + 1200 º C, sensibilidade espectral de 8 - 14 μm. Para o modelo 2M, a gama de temperaturas medidas de 200 a 1800 º C, sensibilidade espectral de 1,53 - 1,74 μm.
Sistema de medição de temperatura universal Thermalert GP
O sistema de medição de temperatura universal Thermalert GP é um sistema universal para medição contínua de temperatura, que inclui um monitor barato compacto e um sensor GPR infravermelho e GPM. Se necessário, o monitor é equipado com um módulo de relé para sinalizar mais de dois pontos e também fornece a potência do sensor.
Sistemas de medição de temperatura universal Os sensores infravermelhos são necessários em áreas onde o dano de temperatura de temperatura de contato danificará a superfície, por exemplo, filme plástico ou contaminar o produto, bem como medir a temperatura de objetos de mudança ou rígido.
Sistema de medição de temperatura universal nos pirômetros da série Termalert GP: - Os parâmetros do monitor e do sensor são instalados a partir do teclado do monitor; - Os resultados de medição de processamento são fornecidos: fixação de valores de pico, calculando a temperatura média, a compensação da temperatura ambiente; - Óptica padrão ou focal são fornecidos;
Sistema de medição universal de temperatura - os alarmes são instalados pelo operador; - É possível trabalhar o Monitor GP com outros pirômetros infravermelhos da empresa Raytek, por exemplo, Thermalert C L e Thermalert Tx. A faixa de temperaturas medidas de 18 a + 538 º0 c.
Sensores infravermelhos sem contato Termherert
Sensores infravermelhos sem contato Estacionário Sensores infravermelhos Thermalert Tx série são projetados para medição sem contato da temperatura de objetos difíceis de alcançar e são conectados através de uma linha de dois fios para o monitor, por exemplo, Thermalert GP
Sensores infravermelhos sem contato Thermalert TX para o modelo LT a gama de temperaturas medidas de 18 a + 500 º C, sensibilidade espectral de 8-14 μm. Para o modelo LTO, a gama de temperaturas medidas de 0 a 500 º C, sensibilidade espectral de 8 - 14 microns. Para o Modelo MT, a faixa de temperaturas medidas de 200 a 1000 º C, sensibilidade espectral 3, 9
Monocromático pirômetros maratona ma
Maratona Mr1s Relações Espectrais Pirômetros
Pirômetros da relação de relacionamento espectral Marathon Sr. 1 s Pirômetros de infravermelhos estacionários As relações espectrais da Maratona Mr 1 S usam um método de medição de duas cores para obter alta precisão ao trabalhar com altas temperaturas. Os pirômetros MR1s têm um sistema óptico eletronicamente melhorado, eletrônica "inteligente", que são colocadas em um pacote compacto durável.
Pirômetros da relação espectral Marathon Sr. 1 s estes pirômetros - solução perfeita Ao medir a temperatura nas zonas fumadas, objetos em movimento ou objetos muito pequenos, portanto, eles são usados \u200b\u200bem várias indústrias: Irwell de minério, fundição e processamento de metais, aquecimento nos fornos de vários tipos, incluindo indução, cultivo de cristais , etc.
Os pirômetros de relações espectrais nos pirômetros de Marathonmr são fornecidos: - modo de medição de um ou dois cores; - Comprimento focal mutável; - Processador de alta velocidade; - programas para a calibração e diagnósticos de "campo"; - um aviso único sobre a lente "suja"; Software Marathon Datatemp.
Pirômetros de relações espectral para o Sr. A1 S A uma gama de temperaturas medidas de 600 a 14 00 º C. Para o modelo Sr. A1 SC a gama de temperaturas medidas de 1000 a 3000 º C.
Relação espectral de pirômetros de fibra óptica Maratona Fibreóptico
Pirômetros de fibra óptica do relacionamento espectral Os pirômetros estacionários da série Maratona FR1 usam a tecnologia espectral infravermelha, que garante a maior precisão de medição na faixa de 500 a 2500 0 S. pirômetros permitem que você meça objetos que estão em áreas perigosas e agressivas, e Especialmente aplique onde é impossível usar os sensores infravermelhos.
Os pirômetros de fibra óptica As relações espectrais de maratona são capazes de medir com precisão a temperatura de objetos difíceis de alcançar, com alta temperatura ambiente, atmosfera contaminada ou fortes campos eletromagnéticos.
perguntas chamam a temperatura com um método de contato com uma mudança de temperatura. Nomeie as ferramentas de medição de temperatura em contato sem contato? Qual é a base do princípio da operação de um termômetro de manômetro? Qual é a base do princípio do termômetro termoelétrico? Princípio da operação de um pirômetro?
recursos http://kipia.ru/ http://www.thermopribor.com/ http://www2.emersonprocess.com/ http://hi-du.ru.ru/ http://www.omsketalon.ru/
Obrigado por atenção
